[發明專利]刻蝕方法

有效

• 申請號: 202010588990.0
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111739795B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發明（設計）人: 何艷;王京;蔣中偉;陳國動
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種刻蝕方法，其特征在于，包括：

預刻蝕步驟，向刻蝕腔室內通入第一工藝氣體，并開啟上射頻電源和下射頻電源，對多晶硅柵極頂部表面進行刻蝕；所述上射頻電源和所述下射頻電源皆輸出連續波；其中，所述多晶硅柵極為雙摻雜的多晶硅柵極；

摻雜刻蝕步驟，停止向所述刻蝕腔室內通入所述第一工藝氣體，并通入第二工藝氣體，對所述多晶硅柵極進行刻蝕；所述上射頻電源輸出連續波，所述下射頻電源輸出脈沖波；

主刻蝕步驟，通入第三工藝氣體，對所述多晶硅柵極繼續刻蝕，直至達到指定刻蝕深度，且在刻蝕過程中在所述多晶硅柵極的頂部沉積形成保護層，以獲得指定圖案；

過刻蝕步驟，停止向所述刻蝕腔室內通入所述第三工藝氣體，并通入第四工藝氣體，以對具有所述指定圖案的多晶硅柵極繼續刻蝕，直至達到目標刻蝕深度，以獲得目標圖案。

2.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一工藝氣體包括四氟甲烷。

3.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述摻雜刻蝕步驟中，所述下射頻電源的占空比的取值范圍為10％～25％。

4.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第二工藝氣體包括六氟化硫和二氟甲烷。

5.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述摻雜刻蝕步驟中，自所述多晶硅柵極頂部向下刻蝕至所述多晶硅柵極總厚度的三分之一位置處。

6.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述摻雜刻蝕步驟中，所述上射頻電源的功率與所述下射頻電源的功率的比值的取值范圍為0.8～1.2。

7.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述指定刻蝕深度為所述多晶硅柵極總厚度的70％～80％。

8.根據權利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第三工藝氣體包括六氟化硫和二氟甲烷，其中，所述六氟化硫用作刻蝕氣體，所述二氟甲烷用作沉積氣體。

9.根據權利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于，所述主刻蝕步驟中，通過調節所述六氟化硫和所述二氟甲烷的比例來控制所述多晶硅柵極側壁的陡直程度。

10.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第四工藝氣體包括溴化氫和/或氧氣。