[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010588956.3 | 申請日： | 2020-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN112151502A | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳旭升;林佑波 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 謝強(qiáng);黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
一互連，設(shè)置在一絕緣層內(nèi)，該互連具有：
一金屬接觸物；
一接觸隔離層，環(huán)繞該金屬接觸物的側(cè)壁，
一氣隙，環(huán)繞該金屬接觸物的側(cè)壁，其中該氣隙是設(shè)置在該接觸隔離層與該絕緣層之間，以及
一氣隙密封件，具有一第一部分設(shè)置在一第二部分的上方，其中該第一部分是設(shè)置在該接觸隔離層的一頂面的上方且未設(shè)置在該絕緣層的一頂面上，該第二部分環(huán)繞該金屬接觸物的側(cè)壁的一頂部，且該第二部分是設(shè)置在該接觸隔離層與該絕緣層之間。
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