[發(fā)明專利]一種凹槽內(nèi)芯片放置方法

有效

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• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111640677B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發(fā)明（設計）人: 馮光建
• 申請（專利權）人: 浙江集邁科微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/98
• 代理公司: 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283
• 代理人: 董世博

1.一種凹槽內(nèi)芯片放置方法，其特征在于，具體包括如下步驟：

101)制作凹槽步驟：利用光刻和刻蝕工藝在扇出型嵌入載板表面制作凹槽；把膠體通過點膠或者涂布工藝灌入凹槽內(nèi)，通過刻蝕或者研磨工藝去除凹槽表面的殘留膠體，僅保留凹槽中的膠體；

102)嵌入芯片步驟：把切割好的芯片通過FC工藝嵌入到凹槽內(nèi)，在扇出型嵌入載板底部加熱使膠體軟化；用蓋板蓋住扇出型嵌入載板中露出芯片的一面進行壓合；

103)成型步驟：取下蓋板，對芯片表面做殘膠清洗，得到芯片嵌入凹槽的結構；

凹槽采用矩形，邊長范圍在1um到10000um之間，深度在10um到1000um之間；

膠體采用光刻膠、環(huán)氧樹脂、熱固膠、玻璃粉或無機材料；

扇出型嵌入載板、蓋板的尺寸為4、6、8、12寸中的一種；扇出型嵌入載板、蓋板的厚度為200um到2000um，其采用的材質(zhì)為硅、玻璃、石英、碳化硅、氧化鋁、環(huán)氧樹脂或聚氨酯中的一種；

芯片厚度為相同的，或者不同；

蓋板進行按壓的一側，先通過沉積的工藝在蓋板表面制作一層墊高層；再通過光刻和刻蝕工藝對墊高層進行圖形化處理，使接觸芯片的位置有墊高層覆蓋，不同芯片厚度，墊高層刻蝕的高度不同；墊高層刻蝕后的厚度范圍在100nm到100um；

墊高層材料為氧化硅、氮化硅、環(huán)氧樹脂或聚氨酯；

蓋板進行按壓的一側，先通過光刻和刻蝕的工藝在蓋板表面制作空腔，且空腔設置的位置與芯片設置位置對應；不同芯片厚度，空腔刻蝕的深度不同；空腔的厚度范圍在100nm到100um。