[發明專利]一種凹槽內芯片放置方法

有效

• 申請號: 202010588938.5
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111640677B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: 馮光建
• 申請（專利權）人: 浙江集邁科微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/98
• 代理公司: 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283
• 代理人: 董世博

本發明公開了一種凹槽內芯片放置方法，具體包括如下步驟：101)制作凹槽步驟、102)嵌入芯片步驟、103)成型步驟；本發明提供制作方便、工藝簡化，提高集成度與芯片平整度的一種凹槽內芯片放置方法。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，更具體的說，它涉及一種凹槽內芯片放置方法。

背景技術

毫米波射頻技術在半導體行業發展迅速，其在高速數據通信、汽車雷達、機載導彈跟蹤系統以及空間光譜檢測和成像等領域都得到廣泛應用，預計2018年市場達到11億美元，成為新興產業。新的應用對產品的電氣性能、緊湊結構和系統可靠性提出了新的要求，對于無線發射和接收系統，目前還不能集成到同一顆芯片上(SOC)，因此需要把不同的芯片包括射頻單元、濾波器、功率放大器等集成到一個獨立的系統中實現發射和接收信號的功能。

現在研究最廣泛的硅空腔嵌入式扇出結構能有效的解決射頻微系統模塊的集成問題，但是對于嵌入到空腔內的芯片存在不同的厚度問題，同時即使同樣的高度，也往往存在放置高低不平的問題，不利于后面的晶圓級RDL互聯工藝。

發明內容

本發明克服了現有技術的不足，提供制作方便、工藝簡化，提高集成度與芯片平整度的一種凹槽內芯片放置方法。

本發明的技術方案如下：

一種凹槽內芯片放置方法，具體包括如下步驟：

101)制作凹槽步驟：利用光刻和刻蝕工藝在扇出型嵌入載板表面制作凹槽；把膠體通過點膠或者涂布工藝灌入凹槽內，通過刻蝕或者研磨工藝去除凹槽表面的殘留膠體，僅保留凹槽中的膠體；

102)嵌入芯片步驟：把切割好的芯片通過FC工藝嵌入到凹槽內，在扇出型嵌入載板底部加熱使膠體軟化；用蓋板蓋住扇出型嵌入載板中露出芯片的一面進行壓合；

103)成型步驟：取下蓋板，對芯片表面做殘膠清洗，得到芯片嵌入凹槽的結構。

進一步的，凹槽采用矩形，邊長范圍在1um到10000um之間，深度在10um到1000um之間。

進一步的，膠體采用光刻膠、環氧樹脂、熱固膠、玻璃粉或無機材料。

進一步的，扇出型嵌入載板、蓋板的尺寸為4、6、8、12寸中的一種；扇出型嵌入載板、蓋板的厚度為200um到2000um，其采用的材質為硅、玻璃、石英、碳化硅、氧化鋁、環氧樹脂或聚氨酯中的一種。

進一步的，芯片厚度為相同的，或者不同。

進一步的，蓋板進行按壓的一側，先通過沉積的工藝在蓋板表面制作一層墊高層；再通過光刻和刻蝕工藝對墊高層進行圖形化處理，使接觸芯片的位置有墊高層覆蓋，不同芯片厚度，墊高層刻蝕的高度不同；墊高層刻蝕后的厚度范圍在100nm到100um。

進一步的，墊高層材料為氧化硅、氮化硅、環氧樹脂或聚氨酯。

進一步的，蓋板進行按壓的一側，先通過光刻和刻蝕的工藝在蓋板表面制作空腔，且空腔設置的位置與芯片設置位置對應；不同芯片厚度，空腔刻蝕的深度不同；空腔的厚度范圍在100nm到100um。

本發明相比現有技術優點在于：本發明通過在嵌入式結構上面用蓋板進行平整化處理的方式，對芯片增加一步壓平工藝，使芯片在空腔內的高度能夠被有效控制，有利于后續的晶圓級工藝實施，提高集成度。

附圖說明

圖1為本發明調整前示意圖；

圖2為本發明蓋板壓整示意圖；

圖3為本發明的示意圖；

圖4為本發明放置的芯片厚度不同示意圖；

圖5為本發明的圖4壓整示意圖；