[發(fā)明專利]一種控制散熱器流量的三維異構(gòu)模組制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010588587.8 | 申請日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN111653490B | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馮光建 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江集邁科微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;B81C1/00 |
| 代理公司: | 杭州天昊專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
| 地址: | 313100 浙江省湖州市長興縣經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 控制 散熱器 流量 三維 模組 制作方法 | ||
1.一種控制散熱器流量的三維異構(gòu)模組制作方法,其特征在于:具體包括如下步驟:
101)標(biāo)尺制作步驟:在待鍵合載板和底座鍵合載板的表面設(shè)置標(biāo)尺,標(biāo)尺用于待鍵合載板和底座鍵合載板上芯片的對準(zhǔn)檢驗;標(biāo)尺采用線條狀或者直角狀;
其中,標(biāo)尺制作過程如下:在待鍵合載板和底座鍵合載板上表面沉積氧化硅或者氮化硅,或者直接熱氧化形成絕緣層,通過物理濺射、磁控濺射或者蒸鍍工藝在絕緣層上方制作種子層,通過光刻,電鍍工藝在種子層上制作對準(zhǔn)標(biāo)記金屬形成標(biāo)尺;或者通過光刻、干法刻蝕工藝在待鍵合載板和底座鍵合載板上表面刻蝕出相應(yīng)凹槽形成標(biāo)尺,或者在凹槽基礎(chǔ)上通過大馬士革工藝或者PVD工藝在凹槽內(nèi)填充金屬形成標(biāo)尺,或者在填充金屬處再用氧化硅或氮化硅覆蓋形成標(biāo)尺;
待鍵合載板和底座鍵合載板都采用4、6、8、12寸中的一種尺寸,厚度范圍為200um到2000um之間,材質(zhì)采用硅、玻璃、石英、碳化硅、氧化鋁、環(huán)氧樹脂、聚氨酯中的一種;
102)TSV孔制作步驟:待鍵合載板和底座鍵合載板上都通過光刻,刻蝕工藝制作TSV孔,TSV孔的直徑范圍在1um到1000um,深度在10um到1000um之間;減薄待鍵合載板和底座鍵合載板的底部,使TSV孔底部露出;或者待鍵合載板或底座鍵合載板其中之一的TSV孔改成長條形凹槽;
103)鍵合步驟:用共晶鍵合工藝把待鍵合載板和底座鍵合載板鍵合在一起,使步驟102)的TSV孔與TSV孔,或者TSV孔與凹槽相互連接形成微流道;其中,形成微流道前進(jìn)行對準(zhǔn)過程,在待鍵合載板周圍設(shè)置推動裝置,由推動裝置微調(diào)待鍵合載板的位置,使不同面積的微流道注入散熱液體后能有一樣的控溫效果,達(dá)到該效果后去除推動裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種控制散熱器流量的三維異構(gòu)模組制作方法,其特征在于:步驟103)中形成微流道之后通過紅外或者X-ray檢測對準(zhǔn)表面的差異程度,以判斷是否符合設(shè)定需求,若不符合繼續(xù)通過推動裝置進(jìn)行調(diào)整,直到符合設(shè)定需求。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種控制散熱器流量的三維異構(gòu)模組制作方法,其特征在于:推動裝置采用可實(shí)現(xiàn)手動0.1微米精度的微調(diào)裝置,實(shí)現(xiàn)對功能模組進(jìn)行兩個軸向的微小移動和旋轉(zhuǎn)移動。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江集邁科微電子有限公司,未經(jīng)浙江集邁科微電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010588587.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 一種三維彩色物品制作方法
- 三維內(nèi)容顯示的方法、裝置和系統(tǒng)
- 三維對象搜索方法、裝置及系統(tǒng)
- 三維會話數(shù)據(jù)展示方法、裝置、存儲介質(zhì)和計算機(jī)設(shè)備
- 一種三維模型處理方法、裝置、計算機(jī)設(shè)備和存儲介質(zhì)
- 用于基于分布式賬本技術(shù)的三維打印的去中心化供應(yīng)鏈
- 標(biāo)記數(shù)據(jù)的獲取方法及裝置、訓(xùn)練方法及裝置、醫(yī)療設(shè)備
- 一種基于5G網(wǎng)絡(luò)的光場三維浸入式體驗信息傳輸方法及系統(tǒng)
- 用于機(jī)器人生產(chǎn)系統(tǒng)仿真的三維場景管理與文件存儲方法
- 基于三維形狀知識圖譜的三維模型檢索方法及裝置





