[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010587964.6
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN112185952A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 河野誠
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其具有：

半導體襯底，其具有表面和背面；

表面側電極，其設置于所述表面之上；以及

背面側電極，其設置于所述背面之上，

所述半導體襯底包含第一單元區域、與所述第一單元區域相鄰的第二單元區域，

在所述第一單元區域形成有第一半導體元件，

在所述第二單元區域形成有第二半導體元件，

所述表面側電極包含形成于所述第一單元區域的第一電極、形成于所述第二單元區域的第二電極，

所述第一半導體元件包含所述第一電極、形成于所述第一單元區域的所述表面側的第一p區域，

所述第二半導體元件包含所述第二電極、形成于所述第二單元區域的所述表面側的第二p區域，

所述第一電極和所述第二電極彼此分離，

所述第一p區域和所述第二p區域彼此分離。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一半導體元件為溝槽柵極構造的第一晶體管，

所述第二半導體元件為溝槽柵極構造的第二晶體管。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一半導體元件為平面柵極構造的第一晶體管，

所述第二半導體元件為平面柵極構造的第二晶體管。

4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其中，

還具有與所述第一半導體元件的第一柵極電極和所述第二半導體元件的第二柵極電極導通的柵極配線，

在所述半導體襯底的所述表面的俯視觀察中，所述柵極配線設置于所述第一單元區域和所述第二單元區域之間的邊界之上。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一半導體元件為第一二極管，

所述第二半導體元件為第二二極管。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其中，

在所述半導體襯底的所述表面的俯視觀察中，所述半導體襯底還包含n⁺區域，該n⁺區域設置于所述第一半導體元件的所述第一p區域與所述第二半導體元件的所述第二p區域之間，

所述n⁺區域與所述第一p區域及所述第二p區域分離。