[發明專利]一種芯片結構及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 202010587826.8
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111682043B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 陳亮;鄭皓亮;陳昊;玄明花;劉冬妮;趙蛟;齊琪;肖麗
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;胡影

本發明提供一種芯片結構及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域，為解決現有技術很難實現高分辨率的Micro LED顯示裝置的問題。所述一種芯片結構，其特征在于，包括：基底，設置于所述基底上的微型發光二極管和驅動晶體管，所述驅動晶體管的第一極與所述微型發光二極管的第一電極耦接。本發明提供的芯片結構用于發光。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種芯片結構及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

Micro LED(微型發光二極管)顯示器件是新一代顯示技術，具有高亮度，高發光效率，低功耗，響應速度快等優點。在將Micro LED應用于大尺寸顯示裝置中時，一般是將多個Micro LED批量轉移至形成有驅動電路的玻璃襯底上。但是由于驅動電路中驅動晶體管具有閾值電壓偏移的特點，為保證Micro LED發光均一性，玻璃襯底上需要形成復雜的補償電路，從而導致很難實現高分辨率的Micro LED顯示裝置。

發明內容

本發明的目的在于提供一種芯片結構及其制作方法、顯示裝置，用于解決現有技術很難實現高分辨率的Micro LED顯示裝置的問題。

為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

本發明的第一方面提供一種芯片結構，包括：基底，設置于所述基底上的微型發光二極管和驅動晶體管，所述驅動晶體管的第一極與所述微型發光二極管的第一電極耦接。

可選的，所述微型發光二極管包括：沿遠離所述基底的方向依次層疊設置在所述基底上的：第一電流擴展層、發光功能層和第二電流擴展層；還包括位于所述第二電流擴展層背向所述基底的一側的第二電極；

所述驅動晶體管包括：

設置于所述第一電流擴展層背向所述基底的一側的第一有源層；

設置于所述第一有源層背向所述基底的一側的第三電流擴展層；

設置于所述第三電流擴展層背向所述基底的一側的第二極和第一柵極，所述第二極與所述第三電流擴展層耦接，所述第一柵極與所述第三電流擴展層絕緣；

所述第一電流擴展層復用為所述第一電極和所述第一極。

可選的，所述微型發光二極管還包括：第一補償電極，所述第一補償電極位于所述第二電流擴展層與所述第二電極之間，所述第二電極通過所述第一補償電極與所述第二電流擴展層耦接；

所述驅動晶體管還包括：第二補償電極，所述第二補償電極位于所述第三電流擴展層與所述第二極之間，所述第二極通過所述第二補償電極與所述第三電流擴展層耦接。

可選的，所述芯片結構還包括開關晶體管，所述開關晶體管包括：

設置于所述基底上的第四電流擴展層；

設置于所述第四電流擴展層背向所述基底的一側的第二有源層；

設置于所述第二有源層背向所述基底的一側的第五電流擴展層；

設置于所述第五電流擴展層背向所述基底的一側的第三補償電極；

設置于所述第四電流擴展層背向所述基底的表面的第三極，所述第三極與所述驅動晶體管的第一柵極耦接；

設置于所述第三補償電極背向所述基底的一側的第四極和第二柵極，所述第四極與所述第三補償電極耦接，所述第二柵極與所述第三補償電極絕緣。

可選的，所述芯片結構還包括：

設置于所述基底背向所述微型發光二極管的一側的反射層；或者，

設置于所述第二電流擴展層背向所述基底的一側的反射層。