[發(fā)明專利]半導(dǎo)體處理腔體及其清潔方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010587217.2
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN113838769A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡玉;劉振;初春
• 申請（專利權(quán)）人: 拓荊科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32;C23C16/44
• 代理公司: 沈陽維特專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 21229
• 代理人: 李丹

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體處理腔體，包含腔室、氣體供應(yīng)源、遠(yuǎn)程電漿源、復(fù)數(shù)個孔洞以及側(cè)面通道。其中，腔室由側(cè)壁、頂部和底部相連接定義而成；氣體供應(yīng)源，用于提供氣體；遠(yuǎn)程電漿源與氣體供應(yīng)源相連接，以將氣體轉(zhuǎn)化為電漿態(tài)；復(fù)數(shù)個孔洞位于側(cè)壁且呈現(xiàn)環(huán)狀排列以圍繞該腔室；側(cè)面通道連接遠(yuǎn)程電漿源與該些孔洞，以將電漿態(tài)的氣體擴散至該等孔洞。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體處理腔體，以及半導(dǎo)體處理腔體的清潔方法。

背景技術(shù)

電漿化學(xué)氣相沉積(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)是用于如芯片上沉積從氣態(tài)到固態(tài)的薄膜的電漿態(tài)沉積的一種類型。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，于制程結(jié)束后，PECVD常見的清潔方式為，氣體通過遠(yuǎn)程電漿發(fā)生器后，流經(jīng)頂部的噴淋板均勻擴散，以充分清潔腔體、側(cè)壁等位置。但是由于噴淋板的孔徑太小，使得腔體清潔效率低。

此外，過去曾經(jīng)使用一種用于在PECVD腔室中沉積膜同時從基板支撐件的下方流動吹掃氣體的設(shè)備和方法，該設(shè)備引入氣體至腔體底部，而后氣體從側(cè)壁被抽走。然而此設(shè)計會造成多種問題，如側(cè)壁的抽氣效率不佳，腔體底部的角落容易成為死角，而產(chǎn)生粒子堆積的情況；底部引入氣體時的流量如果過大會造成晶圓在基板支撐件上漂移，需要小心控制氣體流量，也因此可能造成清潔效率不彰；腔體底部殘留的沉積副產(chǎn)物和薄膜清除不易。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體處理腔體，以及半導(dǎo)體處理腔體的清潔方法，以解決上述半導(dǎo)體處理腔體底部的殘留沉積副產(chǎn)物和薄膜清除不易，以及清潔效率不佳等問題。

根據(jù)本發(fā)明揭露的一實施方式，本發(fā)明的一種半導(dǎo)體處理腔體，包含腔室、氣體供應(yīng)源、遠(yuǎn)程電漿源(remote plasma source，RPS)、復(fù)數(shù)個孔洞以及側(cè)面通道。其中，腔室由側(cè)壁、頂部和底部相連接定義而成；氣體供應(yīng)源，用于提供氣體；遠(yuǎn)程電漿源與氣體供應(yīng)源相連接，以將氣體轉(zhuǎn)化為電漿態(tài)；復(fù)數(shù)個孔洞位于側(cè)壁且呈現(xiàn)環(huán)狀排列以圍繞該腔室；側(cè)面通道連接遠(yuǎn)程電漿源與該些孔洞，以將電漿態(tài)的氣體傳送至該等孔洞。

在一實施例中，該等孔洞位于同一水平高度，且低于一工藝高度。

在一實施例中，該等孔洞位于一托盤的下方且靠近為于該底部的一抽氣通道。

在一實施例中，該側(cè)面通道和該等孔洞之間連接有一環(huán)形信道，該環(huán)形信道于該側(cè)壁中延伸。

根據(jù)本發(fā)明揭露的一實施方式，一種使用于如上述半導(dǎo)體處理腔體的清潔方法，包含提供電漿態(tài)氣體至該處理腔體的側(cè)壁的該等孔洞，以將電漿態(tài)氣體經(jīng)由該等孔洞通入腔室。

在一實施例中，半導(dǎo)體處理腔體的清潔方法，還包含提供分流電漿氣體至所述處理腔體的噴淋板，以將電漿氣體經(jīng)由噴淋板通入腔室。

在一實施例中，半導(dǎo)體處理腔體的清潔方法，其中所述將電漿氣體經(jīng)由噴淋板通入腔室，是于所述將電漿態(tài)氣體經(jīng)由該等孔洞通入腔室之前或之后執(zhí)行。

對于相關(guān)領(lǐng)域一般技術(shù)者而言這些與其他的觀點與實施例在參考后續(xù)詳細(xì)描述與伴隨圖式之后將變得容易明白。

附圖說明

圖式所示之結(jié)構(gòu)大小比例并不限制本發(fā)明的實際實施。

圖1為一種根據(jù)本揭露一實施例之半導(dǎo)體處理腔體之示意圖。

圖2(A)為根據(jù)本揭露一實施例之半導(dǎo)體處理腔體的部分剖面圖。

圖2(B)為根據(jù)本揭露一實施例之半導(dǎo)體處理腔體的部分截面圖。

圖3(A)為根據(jù)本揭露一實施例之半導(dǎo)體處理腔體的腔室和氣體流動的示意圖。

圖3(B)為根據(jù)本揭露一實施例之半導(dǎo)體處理腔體的腔室和氣體流動的示意圖。