[發明專利]半導體處理腔體及其清潔方法在審
| 申請號： | 202010587217.2 | 申請日： | 2020-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN113838769A | 公開（公告）日： | 2021-12-24 |
| 發明（設計）人： | 胡玉;劉振;初春 | 申請（專利權）人： | 拓荊科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01J37/32;C23C16/44 |
| 代理公司： | 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 李丹 |
| 地址： | 110179 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 處理 及其 清潔 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體處理腔體，其特征在于，包含：
一側壁、一頂部和一底部相連接以定義一腔室；
一氣體供應源，用于提供一氣體；
一遠程電漿源，與該氣體供應源相連接，以將該氣體轉化為電漿態；
復數個孔洞，位于該側壁且呈現環狀排列以圍繞該腔室；以及
一側面通道，連接該遠程電漿源與該等孔洞，以將電漿態的氣體傳送至該等孔洞。
2.如權利要求1所述的半導體處理腔體，其特征在于：其中該等孔洞位于同一水平高度，且低于一工藝高度。
3.如權利要求1所述的半導體處理腔體，其特征在于：其中該等孔洞位于一托盤的下方且靠近為于該底部的一抽氣通道。
4.如權利要求1所述的半導體處理腔體，其特征在于：其中該側面通道和該等孔洞之間連接有一環形信道，該環形信道于該側壁中延伸。
5.一種使用于權利要求1所述半導體處理腔體的清潔方法，其特征在于，包含：
提供該電漿態氣體至所述處理腔體的側壁的該等孔洞，以將該電漿態氣體經由該等孔洞通入該腔室。
6.如權利要求5所述的半導體處理腔體的清潔方法，其特征在于，還包含：提供分流該電漿氣體至所述處理腔體的一噴淋板，以將該電漿氣體經由該噴淋板通入該腔室。
7.如權利要求6所述的半導體處理腔體的清潔方法，其特征在于，其中所述將該電漿氣體經由該噴淋板通入該腔室，是于所述將該電漿態氣體經由該等孔洞通入該腔室之前或之后執行。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
