[發明專利]顯示設備和制造顯示設備的方法在審
| 申請號: | 202010587064.1 | 申請日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN112151579A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 金載益;金在植;李娟和;李浚九 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 制造 方法 | ||
本公開提供了具有改善的可靠性并防止或減小對有機發光二極管(OLED)的損壞的顯示設備以及通過在光圖案化工藝期間在相對電極上布置保護層來制造顯示設備的方法。所述顯示設備包括:基底;像素電極,位于所述基底上;像素限定層,位于所述像素電極上,所述像素限定層具有暴露所述像素電極的中心部分的第一開口;輔助電極,位于所述像素限定層上;中間層,位于所述像素電極上;相對電極,面對所述像素電極,所述中間層介于所述相對電極和所述像素電極之間;第一保護層,位于所述相對電極上;以及接觸電極,位于所述第一保護層上,所述接觸電極電接觸所述輔助電極和所述相對電極。
本申請要求于2019年6月26日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0076342號韓國專利申請的優先權和權益,上述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。
技術領域
本公開涉及顯示設備和制造顯示設備的方法,更具體地,涉及具有改善的可靠性的顯示設備和制造顯示設備的方法。
背景技術
在顯示設備中,有機發光顯示設備已經由于其寬視角、高對比度和/或快速響應速度而作為下一代顯示設備被關注。
在有機發光顯示設備中,每個像素包括有機發光二極管(OLED)。OLED包括像素電極、面對像素電極的相對電極以及介于像素電極和相對電極之間的發射層。
在實現全色顯示的有機發光顯示設備中,從每個像素區域發射不同顏色的光,并且可以通過使用沉積掩模獲得每個像素中的發射層和通過多個像素一體地設置的相對電極。隨著有機發光顯示設備最終具有高分辨率,在沉積工藝中使用的掩模中的開口狹縫的寬度逐漸減小,此外,存在減小開口狹縫的分散性的需求。另外,為了制造高分辨率有機發光顯示設備,需要減少或防止陰影效應。因此,可以在其中基底和掩模彼此靠近的狀態下執行沉積工藝。
發明內容
然而,在根據相關技術的顯示設備中,當在其中基底和掩模彼此靠近地布置的狀態下執行沉積工藝時,掩模可能損壞像素電極的上部。
一個或多個方面包括能夠防止或減少對有機發光二極管(OLED)的損壞并具有改善的可靠性的顯示設備以及制造顯示設備的方法。然而,以上技術特征是示例性的,并且本公開的范圍不限于此。
將在隨后的描述中部分地闡述,且根據該描述所述附加方面將部分地是明顯的,或者可以通過實踐本公開的提供的實施例來習得所述附加方面。
根據實施例,一種顯示設備包括:基底;像素電極,位于所述基底上;像素限定層,位于所述像素電極上,所述像素限定層具有暴露所述像素電極的中心部分的第一開口;輔助電極,位于所述像素限定層上;中間層,位于所述像素電極上;相對電極,面對所述像素電極,所述中間層介于所述相對電極和所述像素電極之間;第一保護層,位于所述相對電極上;以及接觸電極,位于所述第一保護層上,所述接觸電極與所述輔助電極和所述相對電極電接觸。
所述輔助電極可以具有至少部分地暴露所述像素限定層的上表面的第二開口,所述第二開口大于所述第一開口。
所述輔助電極的端部和所述中間層的端部可以在所述像素限定層上彼此間隔開。
位于所述相對電極上的所述第一保護層可以至少部分地暴露所述相對電極的相對端部。
所述第一保護層可以包括具有3eV或更大的光學帶隙的無機材料。
所述第一保護層可以包括具有10或更大的介電常數的金屬氧化物。
所述第一保護層可以包括光透射有機材料。
所述第一保護層可以具有1nm至100nm的厚度。
所述接觸電極可以包括光透射導電材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





