[發明專利]顯示設備和制造顯示設備的方法

在審

• 申請號: 202010587064.1
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN112151579A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 金載益;金在植;李娟和;李浚九
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;馮志云

1.一種顯示設備，其中，所述顯示設備包括：

基底；

像素電極，位于所述基底上；

像素限定層，位于所述像素電極上，所述像素限定層具有暴露所述像素電極的中心部分的第一開口；

輔助電極，位于所述像素限定層上；

中間層，位于所述像素電極上；

相對電極，面對所述像素電極，所述中間層介于所述相對電極和所述像素電極之間；

第一保護層，位于所述相對電極上；以及

接觸電極，位于所述第一保護層上，所述接觸電極與所述輔助電極和所述相對電極電接觸。

2.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，

所述輔助電極具有至少部分地暴露所述像素限定層的上表面的第二開口，所述第二開口大于所述第一開口。

3.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，

所述輔助電極的端部和所述中間層的端部在所述像素限定層上彼此間隔開。

4.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，

位于所述相對電極上的所述第一保護層至少部分地暴露所述相對電極的相對端部。

5.根據權利要求4所述的顯示設備，其中，

所述第一保護層包括具有3eV或更大的光學帶隙的無機材料。

6.根據權利要求5所述的顯示設備，其中，

所述第一保護層包括具有10或更大的介電常數的金屬氧化物。

7.根據權利要求6所述的顯示設備，其中，

所述第一保護層包括光透射有機材料。

8.根據權利要求7所述的顯示設備，其中，

所述第一保護層具有1nm至100nm的厚度。

9.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，

所述接觸電極包括光透射導電材料。

10.根據權利要求9所述的顯示設備，其中，

在所述相對電極的由所述第一保護層至少部分地暴露的相對端部處，所述接觸電極直接接觸且電接觸所述相對電極。

11.根據權利要求10所述的顯示設備，其中，

所述接觸電極直接接觸且電接觸所述輔助電極。

12.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述顯示設備還包括：

第二保護層，位于所述接觸電極上。

13.一種制造顯示設備的方法，其中，所述方法包括：

準備基底；

在所述基底上形成像素電極；

在所述像素電極上形成像素限定層，所述像素限定層具有暴露所述像素電極的中心部分的第一開口；

在所述像素限定層上形成輔助電極，所述輔助電極具有大于所述第一開口的第二開口；

在所述輔助電極上形成剝離層并在所述剝離層上形成掩模層，所述剝離層具有第三開口，并且所述掩模層具有小于所述第三開口的第四開口；

通過所述第四開口在所述像素電極上形成中間層；

通過所述第四開口在所述中間層上形成相對電極；

通過所述第四開口在所述相對電極上形成第一保護層；

通過所述第四開口在所述第一保護層上形成接觸電極，所述接觸電極電接觸所述輔助電極和所述相對電極；

通過所述第四開口在所述接觸電極上形成第二保護層；以及

去除所述剝離層和所述掩模層。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，

在所述中間層的形成中，使所述中間層的端部和所述輔助電極的端部在所述像素限定層上彼此間隔開。