[發明專利]線路結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202010586607.8
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111834233A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 王冬明;何蘭蘭
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄭小粵

1.一種線路結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基層上設置第一金屬線路層；

在所述第一金屬線路層遠離所述基層的表面設置第二金屬層；

在所述第二金屬層遠離所述基層的表面設置第三金屬層；

在所述第三金屬層遠離所述基層的表面設置干膜，并通過曝光、顯影在所述干膜上形成蝕刻圖案；

利用第一蝕刻液蝕刻所述第三金屬層，以將所述第三金屬層制備成第三金屬線路層；

利用第二蝕刻液蝕刻所述第二金屬層，以將所述第二金屬層制備成第二金屬線路層；所述第一金屬線路層、所述第二金屬線路層，以及所述第三金屬線路層三者在所述基層上的投影重合；

其中，所述第一金屬層的金屬活性與所述第二金屬層的金屬活性不同，所述第二金屬層的金屬活性與所述第三金屬層的金屬活性不同，使得所述第二金屬層可以避免被所述第一蝕刻液蝕刻、所述第一金屬線路層和所述第三金屬線路層可以避免被所述第二蝕刻液蝕刻。

2.根據權利要求1所述的線路結構的制備方法，其特征在于，所述基層的材質為PI、PET、PEN三者中的任一種；及/或

所述第一金屬線路層的材質為銅、銅鈦合金、銅鎳合金三者中的任一種；及/或

所述第二金屬線路層的材質為鎳鉻合金；及/或

所述第三金屬線路層的材質為銅、銅鈦合金、銅鎳合金中的任一種。

3.根據權利要求1所述的線路結構的制備方法，其特征在于，在由所述基層至所述第一金屬線路層的方向上，所述基層的厚度為10um-500um；及/或

在由所述基層至所述第一金屬線路層的方向上，所述第一金屬線路層的厚度為50um-500um；及/或

在由所述基層至所述第一金屬線路層的方向上，所述第二金屬線路層的厚度為10um-100um；及/或

在由所述基層至所述第一金屬線路層的方向上，所述第三金屬線路層的厚度為50um-500um。

4.根據權利要求1所述的線路結構的制備方法，其特征在于，所述第二金屬線路層的材質為鎳鉻合金，所述第三金屬線路層的材質為銅、銅鈦合金、銅鎳合金三者中的任一種，所述第一蝕刻液為硫酸和雙氧水的混合液。

5.根據權利要求4所述的線路結構的制備方法，其特征在于，所述第一金屬線路層的材質為銅、銅鈦合金、銅鎳合金三者中的任一種，所述第二蝕刻液為鹽酸和硝酸的混合液。

6.根據權利要求1所述的線路結構的制備方法，其特征在于，所述在基層上設置第一金屬線路層的步驟，包括：

在所述基層上設置第一金屬層；

在所述第一金屬層遠離所述基層的表面設置干膜，并通過曝光、顯影在所述干膜上形成蝕刻圖案；

利用第三蝕刻液蝕刻所述第一金屬層，以將所述第一金屬層制備成所述第一金屬線路層。

7.根據權利要求6所述的線路結構的制備方法，其特征在于，所述第一蝕刻液和所述第三蝕刻液為同一種蝕刻液。

8.一種線路結構，其特征在于，包括：

基層；

第一金屬線路層，成型在所述基層上；

第二金屬線路層，成型在所述第一金屬線路層遠離所述基層的表面上；

第三金屬線路層，成型在所述第二金屬線路層遠離所述基層的表面上；所述第一金屬線路層、所述第二金屬線路層，以及所述第三金屬線路層三者在所述基層上的投影重合；

其中，所述第一金屬線路層的金屬活性與所述第二金屬線路層的金屬活性不同，所述第二金屬線路層的金屬活性與所述第三金屬線路層的金屬活性不同。