[發明專利]線路結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202010586607.8
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111834233A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 王冬明;何蘭蘭
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄭小粵

本發明涉及一種線路結構及其制備方法，該線路結構，包括：基層，以及依次疊置在基層上的第一金屬線路層、第二金屬線路層、第三金屬線路層；其中，第一金屬線路層和第三金屬線路層的金屬活性均與第二金屬線路層的金屬活性不同，第一金屬線路層、第二金屬線路層，以及第三金屬線路層三者在基層上的投影重合。在本發明中，金屬導電線路分成三層，每一層的厚度都可以設置的較小，這樣在蝕刻每一層金屬層時，都可以避免該金屬層遠離基層的一側蝕刻量過大。同時，每一次蝕刻時，蝕刻液都不會侵蝕其他已經制備完成的金屬線路層，故通過本方法，可以有效解決金屬層遠離基層的一側因蝕刻量過大而導致最終得到金屬線路不能滿足正常需要的問題。

技術領域

本發明涉及導電膜材技術領域，特別是涉及一種線路結構及其制備方法。

背景技術

金屬納米多層膜具有傳統金屬膜不具備的特性，如特殊的光學、機械、巨彈性模量等。金屬納米多層膜通常包括基層以及設置在基層上的金屬導電線路，其中，金屬導電線路的制備方式通常是：現在基層上設置相應的金屬層，然后在金屬層遠離基層的表面上設置干膜，然后通過曝光、顯影等操作在干膜上形成蝕刻圖案，最后通過蝕刻液蝕刻掉金屬層多余的部分以形成金屬導電線路。但是在蝕刻時，金屬層距離基層越遠的區域與蝕刻液接觸的時間越長，這會導致金屬層遠離基層的一側蝕刻量過大，進而使最終制備的金屬導線線路不能滿足實際的需要。

發明內容

基于此，有必要針對金屬層遠離基層的區域因與蝕刻液接觸之間過長而導致最終制備的金屬導電線路不能滿足實際需求的問題提供一種線路結構及其制備方法。

一種線路結構的制備方法，包括以下步驟：在基層上設置第一金屬線路層；在所述第一金屬線路層遠離所述基層的表面設置第二金屬層；在所述第二金屬層遠離所述基層的表面設置第三金屬層；在所述第三金屬層遠離所述基層的表面設置干膜，并通過曝光、顯影在所述干膜上形成蝕刻圖案；利用第一蝕刻液蝕刻所述第三金屬層，以將所述第三金屬層制備成第三金屬線路層；利用第二蝕刻液蝕刻所述第二金屬層，以將所述第二金屬層制備成第二金屬線路層；所述第一金屬線路層、所述第二金屬線路層，以及所述第三金屬線路層三者在所述基層上的投影重合；其中，所述第一金屬層的金屬活性與所述第二金屬層的金屬活性不同，所述第二金屬層的金屬活性與所述第三金屬層的金屬活性不同，使得所述第二金屬層可以避免被所述第一蝕刻液蝕刻、所述第一金屬線路層和所述第三金屬線路層可以避免被所述第二蝕刻液蝕刻。

在本發明中，金屬導電線路分成三層，每一層都是單獨地經過一次蝕刻操作制備而成，同時，每一層的厚度都可以設置的較小，這樣蝕刻液在蝕刻每一次金屬層時，都可以有效避免金屬層遠離基層的一側因與蝕刻液接觸時間過長而導致蝕刻量過大。另外，每一次蝕刻時，蝕刻液都不會侵蝕其他已經制備完成的金屬線路層，故通過本發明提供的制備方法，可以有效解決金屬層遠離基層的一側因蝕刻量過大而導致最終得到金屬線路不能滿足正常需要的問題。這樣通過本實施例提供的制備方法便可以制備寬度更小的金屬線路，比如可以通過本實施例提供的制備方法可以制備線寬小于25um的金屬線路。

進一步的，所述基層的材質為PI、PET、PEN三者中的任一種；及/或所述第一金屬線路層的材質為銅、銅鈦合金、銅鎳合金三者中的任一種；及/或所述第二金屬線路層的材質為鎳鉻合金；及/或所述第三金屬線路層的材質為銅、銅鈦合金、銅鎳合金中的任一種。

進一步的，在由所述基層至所述第一金屬線路層的方向上，所述基層的厚度為10um-500um；及/或在由所述基層至所述第一金屬線路層的方向上，所述第一金屬線路層的厚度為50um-500um；及/或在由所述基層至所述第一金屬線路層的方向上，所述第二金屬線路層的厚度為10um-100um；及/或在由所述基層至所述第一金屬線路層的方向上，所述第三金屬線路層的厚度為50um-500um。

進一步的，所述第二金屬線路層的材質為鎳鉻合金，所述第三金屬線路層的材質為銅、銅鈦合金、銅鎳合金三者中的任一種，所述第一蝕刻液為硫酸和雙氧水的混合液。