[發明專利]一種微波插層制備WO3

在審

• 申請號: 202010586588.9
• 申請日: 2020-08-07
• 公開（公告）號: CN111717936A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 俞鮮鮮;張騁;鄭曉虹
• 申請（專利權）人: 上海應用技術大學
• 主分類號: C01G41/02
• 分類號: C01G41/02;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N27/30
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 徐俊;吳寶根

1.一種用微波插層法制備WO₃納米片的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1)：化合物Bi₂W₂O₉粉體的制備：將Bi₂O₃粉體與WO₃粉體研磨，形成混合物；將混合物放入馬弗爐中煅燒后，自然冷卻，得到Bi₂W₂O₉粉體；

步驟2)：中間體H₂W₂O₇·xH₂O的制備：在Bi₂W₂O₉粉體加入中分多次加入HCl攪拌均勻，每次加入HCl后微波加熱，微波加熱前須冷卻至室溫；然后抽濾洗滌，自然晾干后得到亮黃色粉體，即H₂W₂O₇·xH₂O；

步驟3)：WO₃納米片的制備：將H₂W₂O₇·xH₂O置于HNO₃溶液中，磁力攪拌，離心、抽濾洗滌得到WO₃納米片。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟1)中Bi₂O₃粉體與WO₃粉體的質量比為1：1。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟1)中的研磨時間為3-5小時。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟1)中煅燒的溫度為600-1000℃，煅燒時間為1-3h。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟2)中HCl的濃度為6mol/L，Bi₂W₂O₉粉體與HCl的比例為(1～2)g：(40～120)mL。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟2)中HCl分16次加入，微波加熱的時間為3min。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟2)中洗滌采用去離子水和乙醇。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟3)中H₂W₂O₇·xH₂O與16mol/L HNO₃溶液的比例為(1～5)g：(20～40)mL。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟3)中磁力攪拌的時間為6-10天。