[發明專利]清潔方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202010584866.7
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN112185790A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 山﨑政宏
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發明提供一種清潔方法和等離子體處理裝置。清潔方法包括：用含鹵素氣體的等離子體除去腔室內的典型半導體材料元素組的殘渣的步驟；用含烴氣體的等離子體除去所述腔室內的第12族和第13族金屬元素組以及第14族和第15族金屬元素組的殘渣的步驟；和用含氧氣體的等離子體除去所述腔室內的含碳物的步驟，在用所述含鹵素氣體的等離子體進行除去的所述步驟之前或者之后，對用所述含烴氣體的等離子體進行除去的所述步驟和用所述含氧氣體的等離子體進行除去的所述步驟依次執行規定次數X(X≥1)。根據本發明，能夠有效地除去腔室內的第12～第16族的元素。

技術領域

本發明涉及清潔方法和等離子體處理裝置。

背景技術

例如，專利文獻1提案了一種能夠除去腔室11內的含Ti膜的清潔方法。在專利文獻1中，一邊利用含氧氣體的等離子體除去附著于腔室11內的部件的含碳膜和含Ti膜中的含碳膜，一邊利用含氧氣體的等離子體將含Ti膜的表面改性。將含Ti膜的表面改性而得到的TiO膜利用含氟氣體的等離子體除去。TiO膜被除去而露出的含Ti膜的殘渣由含氯氣體的等離子體從上述部件除去。

然而，附著在腔室的內壁的沉積物在除了銦等難以蝕刻的金屬元素之外還含有有機物、硅材料的情況下，若不進行與各種殘渣相適應的氣體和清潔方法，則在腔室11內壁蓄積殘渣。其結果，會發生在腔室11內產生顆粒的問題，或者會在工藝的再現性上產生問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2000-323841號公報。

發明內容

本發明提供一種能夠有效地除去腔室內的第12～第16族的元素的清潔方法和等離子體處理裝置。

依照本發明的一方式，提供一種清潔方法，其包括：用含鹵素氣體的等離子體除去腔室內的典型半導體材料元素組的殘渣的步驟；用含烴氣體的等離子體除去所述腔室內的第12族和第13族金屬元素組以及第14族和第15族金屬元素組的殘渣的步驟；和用含氧氣體的等離子體除去所述腔室內的含碳物的步驟，在用所述含鹵素氣體的等離子體進行除去的所述步驟之前或者之后，對用所述含烴氣體的等離子體進行除去的所述步驟和用所述含氧氣體的等離子體進行除去的所述步驟依次執行規定次數X(X≥1)。

依照一個方面，能夠有效地除去腔室內的第12～第16族的元素。

附圖說明

圖1是表示一實施方式的等離子體處理裝置的截面示意圖。

圖2是表示一實施方式的膜結構的圖。

圖3是表示一實施方式的產品處理工序的流程圖。

圖4是表示第1實施方式的清潔方法的流程圖。

圖5是表示周期表中的組A、組B和組C的圖。

圖6是表示一實施方式的組A、組B和組C的鹵化物的沸點的圖。

圖7是表示一實施方式的組C的氫化物，組B和組C的甲基化合物的沸點的圖。

圖8是表示一實施方式的ITO膜的蝕刻后執行了第5清潔步驟的實驗結果的圖。

圖9是表示一實施方式的清潔方法的效果的一例的圖。

圖10是表示第1實施方式的變形例的清潔方法的流程圖。

圖11是表示第2實施方式的清潔方法的流程圖。

圖12是表示第2實施方式的變形例的清潔方法的流程圖。

圖13是表示第3實施方式的清潔方法的流程圖。

圖14是表示第3實施方式的變形例的清潔方法的流程圖。