[發明專利]清潔方法和等離子體處理裝置在審
| 申請號： | 202010584866.7 | 申請日： | 2020-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN112185790A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 山﨑政宏 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳;徐飛躍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 清潔 方法 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種清潔方法，其特征在于，包括：
用含鹵素氣體的等離子體除去腔室內的典型半導體材料元素組的殘渣的步驟；
用含烴氣體的等離子體除去所述腔室內的第12族和第13族金屬元素組以及第14族和第15族金屬元素組的殘渣的步驟；和
用含氧氣體的等離子體除去所述腔室內的含碳物的步驟，
在用所述含鹵素氣體的等離子體進行除去的所述步驟之前或者之后，對用所述含烴氣體的等離子體進行除去的所述步驟和用所述含氧氣體的等離子體進行除去的所述步驟依次執行規定次數X，其中，X≥1。
2.如權利要求1所述的清潔方法，其特征在于：
具有在用所述含鹵素氣體的等離子體進行除去的所述步驟之后，用含氫氣體的等離子體除去所述第14族和第15族金屬元素組的殘渣的步驟。
3.如權利要求2所述的清潔方法，其特征在于，包括：
具有在用所述含鹵素氣體的等離子體進行除去的所述步驟或者用所述含氫氣體的等離子體進行除去的所述步驟之后，用非活性氣體的等離子體除去所述腔室內的H、F、Cl、Br和I的至少任一者。
4.如權利要求1～3中任一項所述的清潔方法，其特征在于：
在對用所述含烴氣體的等離子體進行除去的所述步驟和用所述含氧氣體的等離子體進行除去的所述步驟依次執行規定次數Y之前或者執行之后，執行用所述含鹵素氣體的等離子體進行除去的所述步驟，其中，Y≥1。
5.如權利要求2或3所述的清潔方法，其特征在于：
對用所述含氫氣體的等離子體進行除去的所述步驟、用所述含烴氣體的等離子體進行除去的所述步驟和用所述含氧氣體的等離子體進行除去的所述步驟依次執行規定次數Y之前或者執行之后，執行用所述含鹵素氣體的等離子體進行除去的所述步驟，其中，Y≥1。
6.一種清潔方法，其特征在于，包括：
用含烴氣體的等離子體除去腔室內的第12族和第13族金屬元素組以及第14族和第15族金屬元素組的殘渣的步驟；和
用含氧氣體的等離子體除去所述腔室內的含碳物的步驟，
對用所述含烴氣體的等離子體進行除去的所述步驟和用所述含氧氣體的等離子體進行除去的所述步驟依次執行規定次數X，其中，X≥1。
7.一種清潔方法，其特征在于，包括：
用含鹵素氣體的等離子體除去腔室內的典型半導體材料元素組的殘渣的步驟；和
用含氫氣體的等離子體除去所述腔室內的第14族和第15族金屬元素組的殘渣的步驟，
對用所述含鹵素氣體的等離子體進行除去的所述步驟和用所述含氫氣體的等離子體進行除去的所述步驟依次進行規定次數X，其中，X≥1。
8.如權利要求1～6中任一項所述的清潔方法，其特征在于：
所述含烴氣體是CH4、C2H6、C3H8、C2H4、C2H2、C2H6和C2H4的至少任一者。
9.如權利要求1～5、7中任一項所述的清潔方法，其特征在于：
所述含鹵素氣體是NF3、SF6、CF4、Cl2、BCl3、HBr和HI的至少任一者。
10.一種等離子體處理裝置，其具有用等離子體進行清潔的腔室和控制部，所述等離子體處理裝置的特征在于：
所述控制部進行控制，以執行如下步驟：
用含鹵素氣體的等離子體除去腔室內的典型半導體材料元素組的殘渣的步驟；
用含烴氣體的等離子體除去所述腔室內的第12族和第13族金屬元素組以及第14族和第15族金屬元素組的殘渣的步驟；和
用含氧氣體的等離子體除去所述腔室內的含碳物的步驟，
在用所述含鹵素氣體的等離子體進行除去的所述步驟之前或者之后，對用所述含烴氣體的等離子體進行除去的所述步驟和用所述含氧氣體的等離子體進行除去的所述步驟依次執行規定次數X，其中，X≥1。
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