[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管器件、其制備方法及陣列基板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010582220.5
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號(hào): CN111710798A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高昊;樊星;吳啟曉;李鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 于小鳳

本公開提供一種有機(jī)發(fā)光二極管器件、其制備方法及陣列基板，其中，有機(jī)發(fā)光二極管器件包括：陽極、陰極以及位于所述陽極和陰極之間的發(fā)光功能層，在所述陰極遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)依次設(shè)置有覆蓋層、光學(xué)調(diào)整層以及薄膜封裝層，所述覆蓋層形成于所述薄膜封裝層靠近所述陰極一側(cè)的器件表面，且完全覆蓋所述器件表面，所述光學(xué)調(diào)整層用于抵消或削弱所述覆蓋層對(duì)所述有機(jī)發(fā)光二極管器件的光學(xué)性能產(chǎn)生的影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管器件、其制備方法及陣列基板。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有自發(fā)光、亮度高、對(duì)比度高、響應(yīng)速度快以及視角寬，結(jié)構(gòu)簡單以及柔性顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，目前已廣泛應(yīng)用于顯示產(chǎn)品中。

傳統(tǒng)OLED器件可采用光學(xué)功能層(CPL)提高器件的效率，隨著柔性概念的推廣，器件的彎折卷曲等柔性技術(shù)得到了更多得關(guān)注。例如，使用柔性基板替換傳統(tǒng)的剛性基板(GLASS)，但在是器件柔性化的同時(shí)，也減薄了器件厚度。隨著柔性基板的使用，柔性封裝也替換了傳統(tǒng)的剛性封裝。現(xiàn)常用柔性封裝為薄膜封裝，隨著柔性封裝得使用，器件結(jié)構(gòu)也發(fā)生了改變，需要在結(jié)構(gòu)中添加保護(hù)層(常用LiF(氟化鋰)等材質(zhì))才能保證器件性能。但是蒸鍍工藝中常常造成基板劃傷等不良，在劃傷區(qū)域會(huì)形成蒸鍍層斷面，而CVD1層使用材質(zhì)為SiON，反應(yīng)氣體中存在N2O，會(huì)對(duì)斷面造成侵蝕造成像素點(diǎn)亮不良。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本公開提供一種有機(jī)發(fā)光二極管器件、其制備方法及陣列基板，以解決相關(guān)技術(shù)中在有機(jī)發(fā)光二極管器件的背板被劃傷造成的斷面會(huì)被后續(xù)CVD工藝中的N2O造成侵蝕的問題。

根據(jù)本公開的第一個(gè)方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管器件，包括：陽極、陰極以及位于所述陽極和陰極之間的發(fā)光功能層，在所述陰極遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)依次設(shè)置有覆蓋層、光學(xué)調(diào)整層以及薄膜封裝層，所述覆蓋層形成于所述薄膜封裝層靠近所述陰極一側(cè)的器件表面，且完全覆蓋所述器件表面，所述光學(xué)調(diào)整層用于抵消或削弱所述覆蓋層對(duì)所述有機(jī)發(fā)光二極管器件的光學(xué)性能產(chǎn)生的影響。

可選的，所述覆蓋層由氮化硅材料形成。

可選的，所述光學(xué)調(diào)整層由氧化硅或氮氧化硅材料形成。

可選的，所述覆蓋層的折射率為1.85-1.95，所述光學(xué)調(diào)整層的折射率為1.45-1.55。

可選的，所述薄膜封裝層包括第一無機(jī)封裝層、有機(jī)封裝層以及第二無機(jī)封裝層。

可選的，所述有機(jī)發(fā)光二極管器件，還包括：依次設(shè)置于所述陰極以及所述覆蓋層之間蓋板層以及氟化鋰層。

可選的，所述覆蓋層的厚度為60-150nm，所述光學(xué)調(diào)整層的厚度為80-120nm。

根據(jù)本公開的第二個(gè)方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管器件的制備方法，包括：

形成所述有機(jī)發(fā)光二極管器件的陽極、發(fā)光功能層以及陰極；

在所述薄膜封裝層靠近所述陰極一側(cè)的器件表面依次形成覆蓋層、光學(xué)調(diào)整層以及薄膜封裝層，所述覆蓋層形成于所述薄膜封裝層靠近所述陰極一側(cè)的器件表面，且完全覆蓋所述器件表面，所述光學(xué)調(diào)整層用于抵消或削弱所述覆蓋層對(duì)所述有機(jī)發(fā)光二極管器件的光學(xué)性能產(chǎn)生的影響。

可選的，在薄膜封裝層靠近所述陰極一側(cè)的器件表面依次形成覆蓋層以及光學(xué)調(diào)整層，包括：通過化學(xué)氣相沉積CVD法在所述薄膜封裝層靠近所述陰極一側(cè)的器件表面依次形成所述覆蓋層以及所述光學(xué)調(diào)整層。

根據(jù)本公開的第三個(gè)方面，提供了一種陣列基板，包括如本公開第一個(gè)方面所述的任意一種有機(jī)發(fā)光二極管器件。