[發明專利]有機發光二極管器件、其制備方法及陣列基板在審
| 申請號： | 202010582220.5 | 申請日： | 2020-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN111710798A | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發明（設計）人： | 高昊;樊星;吳啟曉;李鑫 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人： | 于小鳳 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 發光二極管 器件 制備 方法 陣列 | ||
1.一種有機發光二極管器件，包括：
陽極、陰極以及位于所述陽極和陰極之間的發光功能層，在所述陰極遠離所述發光功能層的一側依次設置有覆蓋層、光學調整層以及薄膜封裝層，所述覆蓋層形成于所述薄膜封裝層靠近所述陰極一側的器件表面，且完全覆蓋所述器件表面，所述光學調整層用于抵消或削弱所述覆蓋層對所述有機發光二極管器件的光學性能產生的影響。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管器件，其中，所述覆蓋層由氮化硅材料形成。
3.根據權利要求1所述的有機發光二極管器件，其中，所述光學調整層由氧化硅或氮氧化硅材料形成。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極管器件，其中，所述覆蓋層的折射率為1.85-1.95，所述光學調整層的折射率為1.45-1.55。
5.根據權利要求1所述的有機發光二極管器件，其中，所述薄膜封裝層包括第一無機封裝層、有機封裝層以及第二無機封裝層。
6.根據權利要求1所述的有機發光二極管器件，其中，所述有機發光二極管器件，還包括：
依次設置于所述陰極以及所述覆蓋層之間蓋板層以及氟化鋰層。
7.根據權利要求1至6任一項所述的有機發光二極管器件，其中，所述覆蓋層的厚度為60-150nm，所述光學調整層的厚度為80-120nm。
8.一種有機發光二極管器件的制備方法，包括：
形成所述有機發光二極管器件的陽極、發光功能層以及陰極；
在所述薄膜封裝層靠近所述陰極一側的器件表面依次形成覆蓋層、光學調整層以及薄膜封裝層，所述覆蓋層形成于所述薄膜封裝層靠近所述陰極一側的器件表面，且完全覆蓋所述器件表面，所述光學調整層用于抵消或削弱所述覆蓋層對所述有機發光二極管器件的光學性能產生的影響。
9.根據權利要求8所述的方法，其中，在薄膜封裝層靠近所述陰極一側的器件表面依次形成覆蓋層以及光學調整層，包括：
通過化學氣相沉積CVD法在所述薄膜封裝層靠近所述陰極一側的器件表面依次形成所述覆蓋層以及所述光學調整層。
10.一種陣列基板，包括如權利要求1至7任一項所述的有機發光二極管器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
