[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010582091.X
• 申請(qǐng)日: 2020-06-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112151615A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧昶佑;裵東一;裵金鐘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/165;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法。該半導(dǎo)體器件包括：在襯底上的掩埋絕緣層；在掩埋絕緣層上的下半導(dǎo)體層，下半導(dǎo)體層包括第一材料；在下半導(dǎo)體層上的溝道圖案，溝道圖案與下半導(dǎo)體層間隔開(kāi)并且包括與第一材料不同的第二材料；以及圍繞溝道圖案的至少一部分的柵電極。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)

作為用于增大半導(dǎo)體器件的密度的按比例縮放技術(shù)，可以考慮其中鰭型硅體或納米線形硅體形成在襯底上并且柵極形成在硅體的表面上的多柵晶體管。

多柵晶體管可以使用三維(3D)溝道，并且可以促進(jìn)多柵晶體管的按比例縮放?？梢栽诓辉黾佣鄸啪w管的柵極長(zhǎng)度的情況下提高電流控制能力。另外，可以有效地抑制其中溝道區(qū)域的電位受漏極電壓影響的短溝道效應(yīng)(SCE)。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式可以通過(guò)提供一種半導(dǎo)體器件來(lái)實(shí)現(xiàn)，該半導(dǎo)體器件包括：在襯底上的掩埋絕緣層；在掩埋絕緣層上的下半導(dǎo)體層，下半導(dǎo)體層包括第一材料；在下半導(dǎo)體層上的溝道圖案，溝道圖案與下半導(dǎo)體層間隔開(kāi)并且包括與第一材料不同的第二材料；以及圍繞溝道圖案的至少一部分的柵電極。

實(shí)施方式可以通過(guò)提供一種半導(dǎo)體器件來(lái)實(shí)現(xiàn)，該半導(dǎo)體器件包括：在襯底上的下半導(dǎo)體層，下半導(dǎo)體層包括第一材料；在下半導(dǎo)體層上的堆疊結(jié)構(gòu)，堆疊結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電圖案和在導(dǎo)電圖案上的上半導(dǎo)體層，上半導(dǎo)體層包括與第一材料不同的第二材料；以及在下半導(dǎo)體層上的源極/漏極區(qū)域，源極/漏極區(qū)域連接到上半導(dǎo)體層。

實(shí)施方式可以通過(guò)提供一種半導(dǎo)體器件來(lái)實(shí)現(xiàn)，該半導(dǎo)體器件包括：硅襯底；在硅襯底上的掩埋絕緣層，掩埋絕緣層包括氧化物；在掩埋絕緣層上的下半導(dǎo)體層，下半導(dǎo)體層包括凹陷；與下半導(dǎo)體層間隔開(kāi)的第一硅溝道圖案；在第一硅溝道圖案上的第二硅溝道圖案；在下半導(dǎo)體層上的柵電極，柵電極圍繞第一硅溝道圖案和第二硅溝道圖案的至少一部分；以及源極/漏極區(qū)域，連接到第一硅溝道圖案和第二硅溝道圖案并且填充凹陷的至少一部分，其中下半導(dǎo)體層包括與第一硅溝道圖案和第二硅溝道圖案的材料不同的材料。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，特征對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯，附圖中：

圖1示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的示意性剖視圖。

圖2至圖9示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的制造圖1的半導(dǎo)體器件的方法中的階段的示意性剖視圖。

圖10示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的示意性剖視圖。

圖11示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的示意性剖視圖。

圖12和圖13示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的制造圖11的半導(dǎo)體器件的方法中的階段的示意性剖視圖。

圖14示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的示意性剖視圖。

具體實(shí)施方式

圖1示出了根據(jù)一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的示意性剖視圖。

參照?qǐng)D1，根據(jù)一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件可以包括：襯底100；在襯底100上的掩埋絕緣層110；在掩埋絕緣層110上的下半導(dǎo)體層200；以及在下半導(dǎo)體層200上的導(dǎo)電圖案400、第一溝道圖案320_1、第二溝道圖案320_2、第三溝道圖案320_3、柵極間隔物108、蓋圖案350和多個(gè)接觸800。導(dǎo)電圖案400可以包括柵電極330和柵極絕緣層220。在一實(shí)現(xiàn)方式中，如圖1所示，可以包括(例如在襯底100的厚度方向上堆疊)多個(gè)溝道圖案320_1、320_2和320_3中的三個(gè)以及多個(gè)導(dǎo)電圖案400中的三個(gè)。在一實(shí)現(xiàn)方式中，第一溝道圖案320_1、第二溝道圖案320_2和第三溝道圖案320_3可以被統(tǒng)稱為多個(gè)溝道圖案320_1、320_2和320_3。