[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法

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• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN112151615A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧昶佑;裵東一;裵金鐘
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/165;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

在襯底上的掩埋絕緣層；

在所述掩埋絕緣層上的下半導(dǎo)體層，所述下半導(dǎo)體層包括第一材料；

在所述下半導(dǎo)體層上的溝道圖案，所述溝道圖案與所述下半導(dǎo)體層間隔開并且包括與所述第一材料不同的第二材料；以及

圍繞所述溝道圖案的至少一部分的柵電極。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述第一材料包括硅鍺(SiGe)，以及

當(dāng)在所述襯底的厚度方向上測量時(shí)，所述下半導(dǎo)體層的厚度小于所述溝道圖案的厚度。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述下半導(dǎo)體層包括第一子半導(dǎo)體層和在所述第一子半導(dǎo)體層上的第二子半導(dǎo)體層。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述第一子半導(dǎo)體層包括硅，以及

所述第二子半導(dǎo)體層包括硅鍺。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述下半導(dǎo)體層上的源極/漏極區(qū)域，所述源極/漏極區(qū)域連接到所述溝道圖案。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一材料包括硅鍺。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述下半導(dǎo)體層包括源極/漏極凹陷，以及

所述源極/漏極區(qū)域的一部分填充所述源極/漏極凹陷。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述源極/漏極區(qū)域的側(cè)表面具有彎曲形狀。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述柵電極的側(cè)壁上的內(nèi)間隔物。

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

在襯底上的下半導(dǎo)體層，所述下半導(dǎo)體層包括第一材料；

在所述下半導(dǎo)體層上的堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電圖案和在所述導(dǎo)電圖案上的上半導(dǎo)體層，所述上半導(dǎo)體層包括與所述第一材料不同的第二材料；以及

在所述下半導(dǎo)體層上的源極/漏極區(qū)域，所述源極/漏極區(qū)域連接到所述上半導(dǎo)體層。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述導(dǎo)電圖案包括圍繞所述上半導(dǎo)體層的至少一部分的柵電極。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述襯底上的掩埋絕緣層，其中：

所述第一材料包括硅鍺，以及

所述第二材料包括硅。

13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述下半導(dǎo)體層包括第一子半導(dǎo)體層和在所述第一子半導(dǎo)體層上的第二子半導(dǎo)體層。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述第一子半導(dǎo)體層包括硅，以及

所述第二子半導(dǎo)體層包括硅鍺。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述源極/漏極區(qū)域的側(cè)表面具有彎曲形狀。

16.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的內(nèi)間隔物。