[發明專利]半導體設備封裝和其制造方法

在審

• 申請號: 202010580741.7
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN113839192A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 余遠灝;何政霖;施佑霖
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/22;H01L23/31
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

本公開關于一種半導體設備封裝和其制造方法。所述半導體設備封裝具有天線。所述天線包括第一介電層、第一導電層及第二介電層。所述第一介電層具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面。所述第一導電層位于所述第一介電層的所述第一表面上。所述第一導電層具有饋入端。所述第二介電層位于所述第一介電層上。所述第二介電層覆蓋所述第一導電層的一部分，并暴露所述第一導電層的所述饋入端。

技術領域

本公開總體上涉及一種半導體設備封裝和其制造方法，并且涉及一種包含天線的半導體設備封裝。

背景技術

例如手機等無線通信設備通常包含用于發射和接收射頻(radio frequency，RF)信號的天線。近年來，隨著移動通信的持續發展和對高數據速率和穩定通信質量的迫切需求，相對高頻無線發射(例如，28GHz或60GHz)已變成移動通信行業中的一個最重要的課題。

隨著無線通信應用的增加，設頻信號的輻射方向亦隨之增加。例如，設頻信號可從通信設備的各方向(如垂直方向或水平方向)發射，以增加通信設備的應用性。因此，如何設計具有水平發射信號的天線模塊為本公開的一個重要課題。

發明內容

在一或多個實施例中，一種天線包括第一介電層、第一導電層及第二介電層。所述第一介電層具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面。所述第一導電層位于所述第一介電層的所述第一表面上。所述第一導電層具有饋入端。所述第二介電層位于所述第一介電層上。所述第二介電層覆蓋所述第一導電層的一部分，并暴露所述第一導電層的所述饋入端。

在一或多個實施例中，一種半導體設備封裝包括襯底、天線結構及封裝體。所述天線結構位于襯底上。所述天線結構具有第一天線圖案及與所述第一天線圖案分離的第二天線圖案。所述第一天線圖案與所述于襯的距離大于所述第二天線圖案與襯底的距離。所述封裝體位于所述襯底上，并覆蓋所述天線結構。

在一或多個實施例中，一種制造天線的方法包括：(a)形成第一介電層；(b)形成多個第一導電層于所述第一介電層上，各第一導電層互相分離；(c)形成第二介電層于所述第一介電層上，所述第二介電層覆蓋各第一導電層的一部分，并暴露各第一導電層的饋入端；及(d)執行單體化工藝，以兩個相鄰第一導電層之間的第一介電層與第二介電層。

附圖說明

當與附圖一起閱讀以下詳細描述時，可以根據以下詳細描述容易地理解本公開的各方面。應當注意的是，各種特征可能不一定按比例繪制。為了討論的清楚起見，可以任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1A展示了根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝的橫截面視圖。

圖1B展示了根據本公開的一些實施例的圖1A所示的天線的放大示意圖。

圖1C展示了根據本公開的一些實施例的圖1A的襯底的上視圖。

圖1D展示了根據本公開的一些實施例的圖1A虛線框圈起處的正面視圖。

圖1E展示了根據本公開的一些實施例的圖1A虛線框圈起處的背面視圖。

圖1F展示了根據本公開的一些實施例的圖1A虛線框圈起處的橫截面視圖。

圖1G展示了根據本公開的一些實施例的圖1A虛線框圈起處的橫截面視圖。

圖1H展示了根據本公開的一些實施例的圖1A虛線框圈起處的橫截面視圖。

圖2A展示了根據本公開的一些實施例的圖1A所示的天線的正面視圖。

圖2B展示了根據本公開的一些實施例的圖1A所示的天線的正面視圖。

圖2C展示了根據本公開的一些實施例的圖1A所示的天線的背面視圖。

圖2D展示了根據本公開的一些實施例的圖1A所示的天線的背面視圖。