[發明專利]一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 202010580389.7
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111769142B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 張偉彬
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/12;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本申請公開了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置，顯示面板包括：基板層；第一柵極層，設于所述基板層上；第一柵極絕緣層,設于所述第一柵極層上，并包覆所述第一柵極層；有源層，設于所述第一柵極絕緣層上；第一有機層，設于所述有源層上；第二有機層，設于所述第一有機層上；第一槽孔，從所述第二有機層遠離所述有源層的一面貫穿所述第一有機層，并延伸至所述有源層的表面，所述有源層的部分裸露于所述第一槽孔中；源漏極層，設于所述第二有機層的表面，并通過所述第一槽孔與所述有源層相接。

技術領域

本申請涉及顯示面板技術領域，尤其涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

有源矩陣有機發光二極管低溫多晶硅屏(AMOLED-LTPS)結構和電性極其精密，對每層膜的質量要求很高?，F有的制程中用化學氣相沉積方式在緩沖層上沉積一層平坦的非晶硅層，然后進行激光退火晶化形成多晶硅層，進行蝕刻出相應的圖形；然后進行多晶硅層整面離子注入，此步驟為溝道摻雜。待柵極絕緣層和柵極層成膜，對柵極層未遮擋的柵極絕緣層下方的多晶硅進行離子注入，此步驟為重摻雜，從而形成薄膜晶體管。

溝道摻雜的目標為柵極層下方的多晶硅，目的是通過注入劑量調節薄膜晶體管的電性，包括閾值電壓、遷移率等。

重摻雜的目標為與源漏極接觸的多晶硅，目的是降低與源漏極的接觸電阻，決定薄膜晶體管的導電類型，注入劑量遠大于溝道摻雜。溝道摻雜和重摻雜兩個步驟使得制備薄膜晶體管的成本增加。

因此，確有必要來開發一種新型的顯示面板，以克服現有技術的缺陷。

發明內容

本發明的一個目的是提供一種顯示面板，其能夠解決現有技術中制備薄膜晶體管的存在的溝道摻雜和重摻雜兩個步驟使得成本大的問題。

為實現上述目的，本發明提供一種顯示面板，包括：基板層；第一柵極層，設于所述基板層上；第一柵極絕緣層,設于所述第一柵極層上，并包覆所述第一柵極層；有源層，設于所述第一柵極絕緣層上；第一有機層，設于所述有源層上；第二有機層，設于所述第一有機層上；第一槽孔，從所述第二有機層遠離所述有源層的一面貫穿所述第一有機層，并延伸至所述有源層的表面，所述有源層的部分裸露于所述第一槽孔中；源漏極層，設于所述第二有機層的表面，并通過所述第一槽孔與所述有源層相接。

進一步的，在其他實施方式中，所述顯示面板還包括平坦層，設于所述源漏極層上；第二槽孔，從所述平坦層遠離所述源漏極層的一面延伸至所述源漏極層的表面，所述源漏極層的部分裸露于所述第二槽孔中；像素電極層，設于所述平坦層的表面，并通過所述第二槽孔與所述源漏極層相接；像素定義層，設于所述像素電極層上。

進一步的，在其他實施方式中，其中所述基板層包括襯底層；絕緣層，設于所述襯底層上；緩沖層，設于所述襯底層上；所述第一柵極層設于所述緩沖層上。

為實現上述目的，本發明還提供一種制備方法，用以制備本發明涉及的所述顯示面板，所述制備方法包括以下步驟：提供一基板層；制備第一柵極層于所述基板層上；制備第一柵極絕緣層于所述第一柵極層上，并包覆所述第一柵極層；制備多晶硅層于所述第一柵極絕緣層上；制備第一有機層于所述多晶硅層上；制備第一槽孔，所述第一槽孔從所述第一有機層遠離所述多晶硅層的一面延伸至所述多晶硅層的表面，所述多晶硅層的部分裸露于所述第一槽孔中；制備第二有機層于所述第一槽孔內和所述第一有機層上；制備第二槽孔，所述第二槽孔從所述第一槽孔中的所述第二有機層遠離所述多晶硅層的一面延伸至所述多晶硅層的表面，所述多晶硅層的部分裸露于所述第二槽孔中；對裸露于所述第二槽孔中的部分所述多晶硅層和溝道區的所述多晶硅層同時進行離子注入，形成有源層；制備源漏極層于所述第二槽孔內和所述第二有機層，所述源漏極層并通過所述第二槽孔與所述有源層相接。