[發明專利]一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號： | 202010580389.7 | 申請日： | 2020-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN111769142B | 公開（公告）日： | 2022-07-12 |
| 發明（設計）人： | 張偉彬 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L27/12;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
提供一基板層；
制備第一柵極層于所述基板層上；
制備第一柵極絕緣層于所述第一柵極層上，并包覆所述第一柵極層；
制備多晶硅層于所述第一柵極絕緣層上；
制備第一有機層于所述多晶硅層上；
制備第一槽孔，所述第一槽孔從所述第一有機層遠離所述多晶硅層的一面延伸至所述多晶硅層的表面，所述多晶硅層的部分裸露于所述第一槽孔中；
制備第二有機層于所述第一槽孔內和所述第一有機層上；
制備第二槽孔，所述第二槽孔從所述第一槽孔中的所述第二有機層遠離所述多晶硅層的一面延伸至所述多晶硅層的表面，所述多晶硅層的部分裸露于所述第二槽孔中；
對裸露于所述第二槽孔中的部分所述多晶硅層和溝道區的所述多晶硅層同時進行離子注入，形成有源層；
制備源漏極層于所述第二槽孔內和所述第二有機層，所述源漏極層并通過所述第二槽孔與所述有源層相接。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，制備所述源漏極層的步驟后還包括以下步驟：
制備平坦層于所述源漏極層上；
制備第三槽孔，所述第三槽孔從所述平坦層遠離所述源漏極層的一面延伸至所述源漏極層的表面，所述源漏極層的部分裸露于所述第三槽孔中；
制備像素電極層于所述平坦層的表面，并通過所述第三槽孔與所述源漏極層相接；
制備像素定義層于所述像素電極層上。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述溝道區域上方的第二有機層的厚度是可調節的，在制備所述第二槽孔時，通過曝光顯影的方式減薄所述溝道區域上方的第二有機層的厚度和所述第一槽孔內的第二有機層的厚度。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，裸露于所述第二槽孔中的部分所述有源層中的離子濃度大于所述溝道區的所述有源層中的離子濃度。
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，膜層中被注入的離子濃度與朝向離子注入方向的表面的距離呈左偏正態分布關系。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一有機層的材料采用氮化硅,所述第二有機層的材料采用聚酰亞胺。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
