[發(fā)明專利]可變電阻存儲(chǔ)器器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010580117.7
• 申請(qǐng)日: 2020-06-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112701140A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 河泰洪;姜載祿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/24
• 分類號(hào): H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張逍遙;任旭

提供了一種可變電阻存儲(chǔ)器器件，所述可變電阻存儲(chǔ)器器件包括：下導(dǎo)電線，位于基底上；上導(dǎo)電線，位于下導(dǎo)電線上以與下導(dǎo)電線交叉；以及存儲(chǔ)器單元，位于下導(dǎo)電線與上導(dǎo)電線之間。下導(dǎo)電線在第一方向上延伸并且在與第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開(kāi)。下導(dǎo)電線中的每條包括：第一線部分，在第一方向上延伸；第二線部分，從第一線部分沿第二方向偏移并且在第一方向上延伸；以及連接部分，將第一線部分連接到第二線部分。

本專利申請(qǐng)要求于2019年10月23日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0132154號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體器件，并且具體地，涉及可變電阻存儲(chǔ)器器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件被分類為易失性存儲(chǔ)器器件和非易失性存儲(chǔ)器器件。易失性存儲(chǔ)器器件在它們的電源被中斷時(shí)丟失它們的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)器件是易失性存儲(chǔ)器器件的典型示例。相反，非易失性存儲(chǔ)器器件即使在它們的電源被中斷時(shí)也保留它們的數(shù)據(jù)，可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)器件、可擦除PROM(EPROM)器件、電EPROM(EEPROM)器件和閃速存儲(chǔ)器器件是非易失性存儲(chǔ)器器件的典型示例。

為了滿足近來(lái)對(duì)具有高性能和低功耗的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件的需求，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了下一代半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，諸如磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)和相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)。這種下一代半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件的材料或結(jié)構(gòu)具有如下電阻性質(zhì)：通過(guò)施加到其的電流或電壓而改變，并且即使在電流供應(yīng)或電壓供應(yīng)被中斷時(shí)也不改變。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例提供了一種具有減小的芯片尺寸的可變電阻存儲(chǔ)器器件。

發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例提供了一種具有簡(jiǎn)單的互連結(jié)構(gòu)的可變電阻存儲(chǔ)器器件。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例，可變電阻存儲(chǔ)器器件可以包括：基底；下導(dǎo)電線，位于基底上，下導(dǎo)電線在第一方向上延伸并且在與第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開(kāi)；上導(dǎo)電線，位于下導(dǎo)電線上以與下導(dǎo)電線交叉；以及存儲(chǔ)器單元，位于下導(dǎo)電線與上導(dǎo)電線之間。下導(dǎo)電線中的每條可以包括：第一線部分，在第一方向上延伸；第二線部分，從第一線部分沿第二方向偏移并且在第一方向上延伸；以及連接部分，將第一線部分連接到第二線部分。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例，可變電阻存儲(chǔ)器器件可以包括：基底；外圍電路部分，位于基底上；以及第一單元堆疊件和第二單元堆疊件，順序地堆疊在外圍電路部分上。第一單元堆疊件可以包括：第一下導(dǎo)電線，在第一方向上延伸并且在與第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開(kāi)；第一上導(dǎo)電線，位于第一下導(dǎo)電線上以與第一下導(dǎo)電線交叉；以及第一存儲(chǔ)器單元，位于第一下導(dǎo)電線與第一上導(dǎo)電線之間。第二單元堆疊件可以包括：第二下導(dǎo)電線，在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此間隔開(kāi)。第一下導(dǎo)電線和第二下導(dǎo)電線可以在第二方向上交替地布置。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例，可變電阻存儲(chǔ)器器件可以包括：基底；外圍電路部分，位于基底上；以及第一單元堆疊件和第二單元堆疊件，順序地堆疊在基底上。第二單元堆疊件可以包括：下導(dǎo)電線；上導(dǎo)電線，位于下導(dǎo)電線上以與下導(dǎo)電線交叉；存儲(chǔ)器單元，位于下導(dǎo)電線與上導(dǎo)電線之間；下接觸件，連接到下導(dǎo)電線；以及上接觸件，連接到上導(dǎo)電線。下接觸件和上接觸件中的每個(gè)穿透第一單元堆疊件并且可以連接到外圍電路部分。

附圖說(shuō)明

通過(guò)以下結(jié)合附圖的簡(jiǎn)要描述，將更清楚地理解示例實(shí)施例。附圖表示如在此描述的非限制性的示例實(shí)施例。

圖1是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例的可變電阻存儲(chǔ)器器件的概念圖。

圖2是圖1的可變電阻存儲(chǔ)器器件的示意性平面圖。

圖3是示意性地示出圖1的每個(gè)單元堆疊件的透視圖。