[發明專利]可變電阻存儲器器件

在審

• 申請號: 202010580117.7
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN112701140A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 河泰洪;姜載祿
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張逍遙;任旭

1.一種可變電阻存儲器器件，所述可變電阻存儲器器件包括：

下導電線，位于基底上，下導電線在第一方向上延伸并且在與第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開；

上導電線，位于下導電線上以與下導電線交叉；以及

存儲器單元，位于下導電線與上導電線之間，

其中，下導電線中的每條包括：第一線部分，在第一方向上延伸；第二線部分，從第一線部分沿第二方向偏移并且在第一方向上延伸；以及連接部分，將第一線部分連接到第二線部分。

2.根據權利要求1所述的可變電阻存儲器器件，其中，下導電線的連接部分在與第一方向和第二方向交叉的第三方向上彼此對準。

3.根據權利要求2所述的可變電阻存儲器器件，其中，存儲器單元位于第一線部分與上導電線之間的交叉點處以及第二線部分與上導電線之間的交叉點處。

4.根據權利要求2所述的可變電阻存儲器器件，所述可變電阻存儲器器件還包括：上接觸件，分別連接到上導電線，

其中，上接觸件中的至少一個上接觸件位于下導電線中的相鄰的下導電線的連接部分之間。

5.根據權利要求4所述的可變電阻存儲器器件，其中，上接觸件中的所述至少一個上接觸件從上導電線中的對應的上導電線的底表面延伸到下導電線中的相鄰的下導電線的連接部分之間的區域中。

6.根據權利要求4所述的可變電阻存儲器器件，所述可變電阻存儲器器件還包括：外圍晶體管，位于基底與下導電線之間，

其中，上接觸件中的所述至少一個上接觸件連接到外圍晶體管中的對應的外圍晶體管的端子。

7.根據權利要求6所述的可變電阻存儲器器件，所述可變電阻存儲器器件還包括：下接觸件，連接到下導電線，

其中，下接觸件中的至少一個下接觸件從下導電線中的對應的下導電線的底表面朝向基底延伸，并且連接到外圍晶體管中的對應的外圍晶體管的端子。

8.根據權利要求1所述的可變電阻存儲器器件，其中，存儲器單元中的每個包括：可變電阻圖案和開關圖案，在垂直于基底的頂表面的方向上堆疊。

9.根據權利要求8所述的可變電阻存儲器器件，其中，可變電阻圖案包括相變材料。

10.一種可變電阻存儲器器件，所述可變電阻存儲器器件包括：

外圍電路部分，位于基底上；以及

第一單元堆疊件和第二單元堆疊件，順序地堆疊在外圍電路部分上，

其中，第一單元堆疊件包括：第一下導電線，在第一方向上延伸并且在與第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開；第一上導電線，位于第一下導電線上以與第一下導電線交叉；以及第一存儲器單元，位于第一下導電線與第一上導電線之間，

第二單元堆疊件包括：第二下導電線，在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此間隔開，并且

第一下導電線和第二下導電線在第二方向上交替地布置。

11.根據權利要求10所述的可變電阻存儲器器件，其中，第二單元堆疊件包括：

第二上導電線，位于第二下導電線上以與第二下導電線交叉；以及

第二存儲器單元，位于第二下導電線與第二上導電線之間的交叉點處，

其中，第一上導電線和第二上導電線在第二方向上延伸，并且在第一方向上交替地布置。

12.根據權利要求10所述的可變電阻存儲器器件，其中，第一下導電線中的每條包括：

第一線部分，在第一方向上延伸；

第二線部分，從第一線部分沿第二方向偏移并且在第一方向上延伸；以及

第一連接部分，將第一線部分連接到第二線部分，

其中，第一下導電線的第一連接部分在與第一方向和第二方向交叉的第三方向上彼此對準。