[發明專利]半導體存儲器裝置

在審

• 申請號: 202010579908.8
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN112530947A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 成慧真;樸志孰;崔盛皓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉林果;尹淑梅

提供了一種半導體存儲器裝置。所述半導體存儲器裝置包括：基底，具有存儲器單元區、外圍區以及在存儲器單元區與外圍區之間的壩區，存儲器單元區根據俯視圖具有矩形形狀，并且存儲器單元區具有限定在其中的多個有源區；多個位線結構，在存儲器單元區中在基底上延伸以在第一水平方向上彼此平行，并且均包括位線；多個掩埋接觸件，填充基底上的所述多個位線結構之間的空間的下部；多個接合墊，位于所述多個掩埋接觸件上；以及壩結構，包括在壩區中的第一壩結構和第二壩結構，并且與所述多個接合墊位于同一水平處。

本申請要求于2019年9月17日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0114364號韓國專利申請的權益，該韓國專利申請的公開內容通用引用全部包含于此。

技術領域

發明構思涉及半導體存儲器裝置，更具體地，涉及包括存儲器單元區與外圍區之間的壩結構的半導體存儲器裝置。

背景技術

隨著電子工業和用戶需求的快速發展，電子設備正在變得更輕且更緊湊。因此，在電子裝置中使用的半導體存儲器裝置通常需要具有高的集成度，因此半導體存儲器裝置的組件的設計規則已經減少。因此，半導體存儲器裝置中的存儲器單元區與外圍區之間的圖案密度差已經增大，從而導致工藝難度增大并且使得難以確保結構可靠性。

發明內容

發明構思提供用于降低制造工藝的難度和確保結構可靠性的半導體存儲器裝置。

根據發明構思的一方面，提供了一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：基底，具有存儲器單元區、外圍區以及在存儲器單元區與外圍區之間的壩區，存儲器單元區根據俯視圖具有矩形形狀，并且存儲器單元區具有限定在其中的多個有源區；多個位線結構，在存儲器單元區中在基底上延伸以在第一水平方向上彼此平行，每個位線結構包括位線；多個掩埋接觸件，填充基底上的所述多個位線結構之間的空間的下部；多個接合墊，位于所述多個掩埋接觸件上；以及壩結構，包括在壩區中的第一壩結構和第二壩結構并且與所述多個接合墊位于同一水平處，第一壩結構具有在第一水平方向上延伸的線形狀第二壩結構與第一壩結構分離并且具有在與第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸的線形狀，第一壩結構與第二壩結構之間具有第一壩開口。

根據發明構思的另一方面，提供了一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：基底，具有存儲器單元區、外圍區以及在存儲器單元區與外圍區之間的壩區，存儲器單元區根據俯視圖具有矩形形狀，并且存儲器單元區具有限定在其中的多個有源區；多個位線結構，在存儲器單元區中在基底上延伸以在第一水平方向上彼此平行，每個位線結構包括位線；多個柵極線結構，位于外圍區中，所述多個柵極線結構中的每個具有與位線位于同一水平處的柵極線圖案；掩埋接觸件，填充基底上的所述多個位線結構之間的空間的下部；接合墊，位于掩埋接觸件上；以及壩結構，在壩區中沿著存儲器單元區的矩形形狀的邊布置，其中，壩結構的頂表面的邊以直線延伸，并且所述頂表面的所述邊面對存儲器單元區。