[發明專利]半導體存儲器裝置

在審

• 申請號: 202010579908.8
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN112530947A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 成慧真;樸志孰;崔盛皓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉林果;尹淑梅

1.一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：

基底，具有存儲器單元區、外圍區以及在存儲器單元區與外圍區之間的壩區，存儲器單元區根據俯視圖具有矩形形狀，并且存儲器單元區具有限定在其中的多個有源區；

多個位線結構，在存儲器單元區中在基底上延伸以在第一水平方向上彼此平行，每個位線結構包括位線；

多個掩埋接觸件，填充基底上的所述多個位線結構之間的空間的下部；

多個接合墊，位于所述多個掩埋接觸件上；以及

壩結構，包括在壩區中的第一壩結構和第二壩結構，并且與所述多個接合墊位于同一水平處，

其中，第一壩結構具有在第一水平方向上延伸的線形狀，并且

其中，第二壩結構與第一壩結構分離并且具有在與第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸的線形狀，第一壩結構與第二壩結構之間具有第一壩開口。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，第一壩結構的頂表面的相對的邊在第一水平方向上以直線延伸，并且第二壩結構的頂表面的相對的邊在第二水平方向上以直線延伸，所述相對的邊分別面對存儲器單元區和外圍區。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述多個接合墊中的每個接合墊具有具備圓盤形狀的頂表面，并且

其中，所述多個接合墊以蜂窩圖案在第一水平方向或第二水平方向上布置為之字形。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，第一壩結構沿著存儲器單元區的矩形形狀的在第一水平方向上延伸的邊布置，并且

其中，第二壩結構沿著存儲器單元區的矩形形狀的在第二水平方向上延伸的邊延伸。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲器裝置，其中，第一壩結構和第二壩結構中的每個壩結構具有通過第二壩開口彼此分離的多個部分，

其中，第一壩結構的所述多個部分順序地布置在第一水平方向上，并且

其中，第二壩結構的所述多個部分順序地布置在第二水平方向上。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中，第一壩開口和第二壩開口中的每個壩開口具有1μm至5μm的寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述多個掩埋接觸件包括多個第一虛設掩埋接觸件和多個第二虛設掩埋接觸件，

其中，所述多個第一虛設掩埋接觸件中的每個第一虛設掩埋接觸件具有與第一壩結構的底表面接觸的頂表面，

其中，所述多個第二虛設掩埋接觸件中的每個第二虛設掩埋接觸件具有與第二壩結構的底表面接觸的頂表面，

其中，所述多個第一虛設掩埋接觸件與所述多個有源區中相應的有源區電分離，并且

其中，所述多個第二虛設掩埋接觸件與所述多個有源區中相應的有源區接觸。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

虛設位線結構，在第二水平方向上在基底上延伸，

其中，第二壩結構從所述多個第二虛設掩埋接觸件的頂表面延伸到虛設位線結構的頂表面。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲器裝置，其中，在第一水平方向上，虛設位線結構的寬度比所述多個位線結構中的每個位線結構的寬度大。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

多個電容器結構，形成在存儲器單元區中，

其中，所述多個電容器結構由上電極、電連接到所述多個接合墊的多個下電極以及在上電極與所述多個下電極之間的電容器介電膜形成，并且

其中，壩結構不電連接到所述多個接合墊。