[發明專利]一種精密金屬制品真空鍍膜工藝

在審

• 申請號: 202010579418.8
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111549320A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 趙彪
• 申請（專利權）人: 東莞市鑫淼真空科技有限公司
• 主分類號: C23C14/26
• 分類號: C23C14/26;C23C14/50;B05D7/14;B05D3/02
• 代理公司: 東莞市神州眾達專利商標事務所(普通合伙) 44251
• 代理人: 周松強

本發明公開了一種精密金屬制品真空鍍膜工藝，包括拋光機、浸涂槽、兩臺烘干機、真空鍍膜機、噴涂機和著色機，精密金屬制品加工成型后送入拋光機內進行拋光，拋光后的精密金屬制品通過夾具夾持固定在連接桿上，精密金屬制品沉入浸涂槽內，從浸涂槽取出的精密金屬制品送入第一臺烘干機內進行烘干，第一次烘干后的精密金屬制品連同連接桿送入到真空鍍膜機進行鍍膜，鍍膜結束后將連接桿連同精密金屬制品取出送入噴涂機內進行面涂，面涂后將精密金屬制品送入第二臺烘干機內進行烘干，根據需要進行進入著色機進行著色作業。本發明具有快速批次放入和取出精密金屬制品，提高效率的優點。

技術領域

本發明涉及精密金屬制品真空鍍膜技術領域，具體為一種精密金屬制品真空鍍膜工藝。

背景技術

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝結于鍍件(金屬、半導體或絕緣體)表面而形成薄膜的一種方法。真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理氣相沉積(PVD)技術和化學氣相沉積(CVD)技術。物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程?；瘜W氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法。

精密金屬制品利用真空鍍膜在其表面鍍上一層保護膜，保護精密金屬制品。精密金屬制品在放進真空鍍膜設備內是一個個放入和一個個取出的，效率比較低下。

發明內容

本發明的目的在于提供一種精密金屬制品真空鍍膜工藝，具備快速批次放入和取出精密金屬制品，提高效率的優點，解決了精密金屬制品在放進真空鍍膜設備內是一個個放入和一個個取出的，效率比較低下的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種精密金屬制品真空鍍膜工藝，包括拋光機、浸涂槽、兩臺烘干機、真空鍍膜機、噴涂機和著色機，精密金屬制品加工成型后送入拋光機內進行拋光，拋光后的精密金屬制品通過夾具夾持固定在連接桿上，精密金屬制品沉入浸涂槽內，從浸涂槽取出的精密金屬制品送入第一臺烘干機內進行烘干，第一次烘干后的精密金屬制品連同連接桿送入到真空鍍膜機進行鍍膜，鍍膜結束后將連接桿連同精密金屬制品取出送入噴涂機內進行面涂，面涂后將精密金屬制品送入第二臺烘干機內進行烘干，根據需要進行進入著色機進行著色作業。

作為本發明的進一步方案，所述浸涂槽內填入SZ-97系列的油，采用浸涂的方法對精密金屬制品進行底涂。

作為本發明的進一步方案，所述第一臺烘干機的溫度設置在60℃-70℃之間，精密金屬制品在第一臺烘干機內烘干時間為兩小時。

作為本發明的進一步方案，所述真空鍍膜機包括罐體，罐體內部上下兩端的中間均固定有連接塊，兩個連接塊相對一側分別通過轉軸轉動安裝有圓柱，圓柱上下兩端的兩側分別固定有橫桿，圓柱上下兩端的兩個橫桿相對一側分別固定有支柱，支柱上固定有旋轉夾頭，連接桿的兩端分別插進旋轉夾頭內，轉動旋轉夾頭旋緊將連接桿固定。

作為本發明的進一步方案，所述第二臺烘干機的溫度設置在50℃-60℃之間，精密金屬制品在第二臺烘干機內烘干時間為一到兩小時。

一種精密金屬制品真空鍍膜工藝，步驟如下：

S1、精密金屬制品加工成型通過輸送機構輸送到拋光機內，精密金屬制品在拋光機內進行除油、除塵等預處理，以保證鍍件的整潔、干燥,避免底涂層出現麻點、附著力差等缺點；