[發明專利]一種SSD中處理NAND Flash讀干擾的方法

在審

• 申請號: 202010578849.2
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111797033A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 劉凱;王璞;吳斌
• 申請（專利權）人: 山東華芯半導體有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 趙玉鳳

本發明公開一種SSD中處理NAND Flash讀干擾的方法，本方法在SSD自帶的DDR中開辟一部分空間，用來保存每個塊的讀次數，當SSD在讀取NAND Flash的某個頁的同時把對應的DDR地址中的值加1，在當前頁讀取操作結束時以一定概率檢查當前塊的讀次數，如果讀次數達到設定閾值時，將讀取到的數據從Read Buffer拷貝到Write Buffer，并修改映射表，最終將數據寫到NAND Flash的新地址，如果讀次數達到需要處理的最大值，則將該塊中剩余的有效數據全部搬走。本方法對數據搬移操作做平滑處理，避免某一時刻集中觸發整個塊數據搬移，既能消除讀干擾對數據的影響，也能保證SSD的整體性能不會產生大的波動。

技術領域

本發明涉及NAND Flash讀領域，具體是一種SSD中處理NAND Flash讀干擾的方法。

背景技術

NAND Flash的讀寫以頁（page）為單位進行，讀取某個頁（page）時需要在當前塊（block）其他page的控制門極上增加一個Vpass電壓，這就會導致在控制門極和源極之間產生電勢差，產生weak program的效果，最終會影響NAND中保存的數據。這種現象或者特性通常被稱為讀干擾（Read Disturb），簡稱RDD。

常規的處理RDD的方式為判斷到當前Block讀取到一定次數時將該Block中保存的數據搬移到新的Block，但是這種方案會在一段時間內嚴重影響SSD的性能。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種SSD中處理NAND Flash讀干擾的方法，對數據搬移操作做平滑處理，避免某一時刻集中觸發整個塊（Block）數據搬移，既能消除讀干擾對數據的影響，也能保證SSD的整體性能不會產生大的波動。

為了解決所述問題，本發明采用的技術方案是：一種SSD中處理NAND Flash讀干擾的方法，本方法在SSD自帶的DDR中開辟一部分空間，用來保存每個塊的讀次數，當SSD在讀取NAND Flash的某個頁的同時把對應的DDR地址中的值加1，在當前頁讀取操作結束時以一定概率P_check檢查當前塊的讀次數，如果讀次數達到設定閾值RDC_thr時，將讀取到的數據從Read Buffer拷貝到Write Buffer，并修改映射表，最終將數據寫到NAND Flash的新地址，如果讀次數達到需要處理的最大值RDC_max，則將該塊中剩余的有效數據全部搬走。

進一步的，，RDC_thr=920K。

進一步的，通過下述公式確認P_check、RDC_thr：

，FCB為Flash中每個塊包含的DataFrame個數，是常數，取值范圍為（0,99%）。

進一步的，的取值范圍為（90%,99%）。

本發明的有益效果：本發明在傳統的讀干擾處理方法上充分考慮了讀干擾處理可能對性能帶來的影響，以一種重寫的方式對NAND Flash讀干擾平滑的進行處理，既能夠消除讀干擾對數據的影響，也能夠保證SSD的整體性能不會產生大的波動。

附圖說明

圖1為實施例1的流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步的說明。

實施例1