[發(fā)明專利]一種SSD中處理NAND Flash讀干擾的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010578849.2 | 申請日： | 2020-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN111797033A | 公開（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉凱;王璞;吳斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東華芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | G06F12/02 | 分類號： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 濟南泉城專利商標事務(wù)所 37218 | 代理人： | 趙玉鳳 |
| 地址： | 250101 山東省濟南市高新*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 ssd 處理 nand flash 干擾 方法 | ||
1.一種SSD中處理NAND Flash讀干擾的方法，其特征在于：本方法在SSD自帶的DDR中開辟一部分空間，用來保存每個塊的讀次數(shù)，當SSD在讀取NAND Flash的某個頁的同時把對應(yīng)的DDR地址中的值加1，在當前頁讀取操作結(jié)束時以一定概率Pcheck檢查當前塊的讀次數(shù)，如果讀次數(shù)達到設(shè)定閾值RDCthr時，將讀取到的數(shù)據(jù)從Read Buffer拷貝到Write Buffer，并修改映射表，最終將數(shù)據(jù)寫到NAND Flash的新地址，如果讀次數(shù)達到需要處理的最大值RDCmax，則將該塊中剩余的有效數(shù)據(jù)全部搬走。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD中處理NAND Flash讀干擾的方法，其特征在于：，RDCthr=920K。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD中處理NAND Flash讀干擾的方法，其特征在于：通過下述公式確認Pcheck、RDCthr：
，F(xiàn)CB為Flash中每個塊包含的Data Frame個數(shù)，是常數(shù)，取值范圍為（0,99%）。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SSD中處理NAND Flash讀干擾的方法，其特征在于：的取值范圍為（90%,99%）。
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