[發明專利]半導體元件的制造方法在審
| 申請號： | 202010578389.3 | 申請日： | 2015-02-15 |
| 公開（公告）號： | CN111682026A | 公開（公告）日： | 2020-09-18 |
| 發明（設計）人： | 楊政達 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11521 | 分類號： | H01L27/11521;H01L27/11548;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 張娜;劉芳 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體元件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上具有多個堆疊結構；
在所述多個堆疊結構之間涂布流體材料；
去除部分所述流體材料，以形成露出部分所述多個堆疊結構的犧牲層；
在露出的所述多個堆疊結構的側壁形成多個介電間隙壁；
完全去除所述犧牲層；以及
在所述基底上形成覆蓋所述多個堆疊結構的介電層，并在所述多個介電間隙壁以下的兩個所述多個堆疊結構之間具有空氣間隙，
其中所述多個介電間隙壁之間的溝槽的高寬比在7～11之間。
2.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，形成所述多個介電間隙壁的步驟包括：
在露出的所述多個堆疊結構上共形地形成低溫氧化物層；以及
回蝕刻所述低溫氧化物層，直到暴露出所述犧牲層。
3.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，各所述堆疊結構包括浮動柵極、形成于所述浮動柵極上的柵間介電層、形成于所述柵間介電層上的字符線、與形成于所述字符線上的頂蓋層。
4.根據權利要求3所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度控制在使所述犧牲層的頂面在所述柵間介電層的位置以上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
