[發明專利]密封結構、真空處理裝置和密封方法有效
| 申請號: | 202010578342.7 | 申請日: | 2020-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN112178332B | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發明(設計)人: | 飯塚八城;渡邊將久;我妻雄一郎 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | F16L39/00 | 分類號: | F16L39/00;C23C14/56;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 密封 結構 真空 處理 裝置 方法 | ||
1.一種密封結構,其是在真空氣氛下進行基片的處理的處理腔室所連接的氣體供給配管的密封結構,所述密封結構的特征在于,包括:
第1配管部件,其構成所述氣體供給配管,具有形成有與處理腔室連通的開口部的端面;
第2配管部件,其構成所述氣體供給配管,具有被配置在與所述第1配管部件的端面對置的位置的對置面;
彈性體制的密封部件,其以包圍所述開口部的方式設置在所述第1配管部件的端面與所述第2配管部件的對置面之間;
片狀的多孔部件,其以包圍所述密封部件的周圍的方式設置在所述第1配管部件的端面與所述第2配管部件的對置面之間;和
向所述多孔部件的一側的面供給非活性氣體的非活性氣體供給部,
形成隨著從所述多孔部件的外周緣去往所述非活性氣體的供給位置,進入所述多孔部件內的非活性氣體的濃度升高的濃度梯度。
2.如權利要求1所述的密封結構,其特征在于:
所述密封部件配置在形成于所述端面側和所述對置面側的任一者的槽部內,
所述多孔部件從所述槽部的外邊緣形成至所述端面與所述對置面對置的區域的周緣。
3.如權利要求2所述的密封結構,其特征在于:
所述多孔部件露出到由所述槽部包圍的空間。
4.如權利要求1~3中任一項所述的密封結構,其特征在于:
形成在所述多孔部件的內部的多個孔部在該多孔部件的厚度方向上各向異性地連通。
5.如權利要求1~3中任一項所述的密封結構,其特征在于:
所述多孔部件是多孔金屬或纖維狀金屬制的。
6.如權利要求1~3中任一項所述的密封結構,其特征在于:
所述多孔部件是多孔樹脂制的。
7.一種真空處理裝置,其特征在于,包括:
具有權利要求1~6中任一項所述的密封結構的氣體供給配管;和
所述處理腔室。
8.如權利要求7所述的真空處理裝置,其特征在于:
包括加熱所述處理腔室的加熱部。
9.一種密封方法,其用于抑制氣體從外部進入在真空氣氛下進行基片的處理的處理腔室,所述密封方法的特征在于,包括:
使用密封結構來提高從多孔部件的外周緣去往密封部件的氣流的流導的步驟,其中,所述密封結構包括在第1配管部件與第2配管部件之間,以包圍開口部的方式設置的彈性體制的所述密封部件,和以包圍所述密封部件的周圍的方式設置的片狀的所述多孔部件,所述第1配管部件具有形成有與所述處理腔室連通的所述開口部的端面,所述第2配管部件具有配置在與所述第1配管部件的端面對置的位置的對置面;以及
向所述多孔部件的一側的面供給非活性氣體,以形成隨著從所述多孔部件的外周緣去往所述非活性氣體的供給位置,進入所述多孔部件內的非活性氣體的濃度升高的濃度梯度的步驟。
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