[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202010578084.2 | 申請日： | 2020-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN112151597A | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發明（設計）人： | 蕭錦濤;邱奕勛 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，其特征在于，包含：
一源極區域和一漏極區域其形成在高于一基板；
一埋入的絕緣體層其形成在該源極區域或該漏極區域任一者下方且高于該基板；以及
一第一納米片其形成(i)在水平方向上介于該源極區域和該漏極區域之間，并且(ii)在垂直方向上高于該埋入的絕緣體層。
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