[發明專利]晶圓缺陷檢測方法及系統

有效

• 申請號: 202010577852.2
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111722092B
• 公開（公告）日: 2023-02-10
• 發明（設計）人: 胡向華;韓俊偉;何廣智;顧曉芳;倪棋梁
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G01R31/303
• 分類號: G01R31/303;G01N21/956;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，包括：

建立網格坐標系，獲取晶圓上缺陷的坐標P(x,y)；

計算任意兩個所述缺陷之間的距離值S_x，所述距離值S_x小于第一規格值spec1時，則定義所述距離值S_x對應的兩個缺陷構成臨近缺陷；

在有且僅有一個坐標相同的兩個所述臨近缺陷中，計算兩個所述臨近缺陷的距離值S_x的偏差值D_x，所述偏差值D_x小于第二規格值spec2時，則定義所述偏差值D_x對應的兩個所述臨近缺陷構成連續臨近缺陷；

順次連接至少兩個所述連續臨近缺陷，判斷所述順次連接的連續臨近缺陷上任意兩個相鄰的缺陷是否構成臨近缺陷；若是，則判斷所述順次連接的連續臨近缺陷上任意兩個相連的臨近缺陷是否構成連續臨近缺陷；若是，則對所述順次連接的連續臨近缺陷上任意連續三點的連線夾角A_x進行確認，若所有的所述連線夾角A_x均在第三規格值spec3的范圍內，則定義所述順次連接的連續臨近缺陷為鏈式缺陷；

計算所述鏈式缺陷的長度。

2.如權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，計算所述鏈式缺陷的長度的步驟包括：

計算所述鏈式缺陷上第i個所述臨近缺陷之間的距離值len_i，所有的所述距離值之和即為所述鏈式缺陷的長度LEN，即：

其中，n為所述鏈式缺陷上的缺陷的個數。

3.如權利要求2所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述鏈式缺陷上的缺陷的個數n≥4。

4.如權利要求2所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于還包括從所述鏈式缺陷中篩選出異常鏈式缺陷。

5.如權利要求4所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述鏈式缺陷的長度LEN大于第四規格值spec4時，定義所述鏈式缺陷為所述異常鏈式缺陷。

6.如權利要求5所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，還包括將篩選出的異常鏈式缺陷的長度作為診斷結果輸出。

7.如權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述第三規格值spec3的范圍為175°～185°。

8.如權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，在晶圓缺陷掃描系統上建立網格坐標系，并通過所述晶圓缺陷掃描系統掃描晶圓，獲取所述晶圓上缺陷的坐標。