[發(fā)明專利]一種圖案化方法及利用該方法制作的層疊體

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• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN113905532A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魯強;張曉波;趙先福;呂文峰
• 申請（專利權(quán)）人: 北京夢之墨科技有限公司
• 主分類號: H05K3/06
• 分類號: H05K3/06;H05K1/09;H01Q1/38;G02B5/18
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本發(fā)明公開了一種圖案化方法及利用該方法制作的層疊體，涉及表面圖案化處理技術(shù)領(lǐng)域。該圖案化方法，包括：在基材層之上依次形成蝕刻保護層和目標(biāo)印刷層；對所述目標(biāo)印刷層進行圖案化蝕刻，得到圖案化的目標(biāo)印刷層；其中，控制所述圖案化蝕刻穿透所述目標(biāo)印刷層到達所述蝕刻保護層，且未穿透所述蝕刻保護層；清除未被所述圖案化的目標(biāo)印刷層所覆蓋的蝕刻保護層。本發(fā)明通過在基材層與目標(biāo)印刷層之間加入蝕刻保護層，從而可以控制蝕刻程度超出目標(biāo)印刷層的蝕刻門檻值，但無法穿透蝕刻保護層，既完成了目標(biāo)印刷層的圖案化，又不會造成基材層的損傷，保證了制作質(zhì)量，提高了成品良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于表面圖案化處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種圖案化方法及利用該方法制作的層疊體。

背景技術(shù)

隨著科技的不斷進步，社會需求的不斷升級，例如PCB印制電路板、FPC可撓性印刷電路板、柔性可拉伸電路板、薄膜太陽能電池、光柵、RFID電子標(biāo)簽等領(lǐng)域的工藝也在不斷迭代。上述產(chǎn)品領(lǐng)域的需求之一為高精度的需求，線路精細(xì)程度可要求達到微米級、乃至是納米級，因此傳統(tǒng)的印刷方式很難實現(xiàn)上述高精度的需求，市面上的產(chǎn)品主要采用蝕刻工藝完成高精度產(chǎn)品的制作，但在實際上蝕刻工藝也存在較大不足。

蝕刻工藝是通過如機械雕刻、化學(xué)腐蝕、激光燒蝕等方式完成目標(biāo)印刷層的圖案化處理，但無論是機械雕刻、化學(xué)腐蝕、激光燒蝕的蝕刻程度的控制都會存在少量誤差，該誤差會直接對產(chǎn)品造成損傷，導(dǎo)致產(chǎn)品良率的下降。例如針對電子電路而言，如果蝕刻程度不足以穿透目標(biāo)印刷層(導(dǎo)電層)，會造成電子電路上不期望連接的區(qū)域依然處于連接狀態(tài)，在后續(xù)使用中容易造成電子器件的燒毀；而針對光柵而言，如果蝕刻程度過大，則會導(dǎo)致蝕刻不僅穿透目標(biāo)印刷層，而且還會直接造成基材層的損傷，造成基材層表面的燒毀，嚴(yán)重影響光柵的透光性。

另外，現(xiàn)有技術(shù)中雖然也存在一些高端的蝕刻裝置(如光刻機)，可以滿足高精度、低誤差的需求，但是這類設(shè)備的設(shè)備成本極高、且不易引進。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的一個目的是提出一種電子圖案化方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于蝕刻程度難以控制，導(dǎo)致制品良率較低，成本高的問題。

在一些說明性實施例中，所述圖案化方法，包括：在基材層之上依次形成蝕刻保護層和目標(biāo)印刷層；對所述目標(biāo)印刷層進行圖案化蝕刻，得到圖案化的目標(biāo)印刷層；其中，控制所述圖案化蝕刻穿透所述目標(biāo)印刷層到達所述蝕刻保護層，且未穿透所述蝕刻保護層；清除未被所述圖案化的目標(biāo)印刷層所覆蓋的蝕刻保護層。

在一些可選地實施例中，在所述蝕刻保護層之上形成所述目標(biāo)印刷層之前，還包括：消除或減薄所述蝕刻保護層上與所述圖案化的目標(biāo)印刷層的相對的區(qū)域。

在一些可選地實施例中，所述消除或減薄所述蝕刻保護層上與所述圖案化的目標(biāo)印刷層的相對的區(qū)域，具體包括：通過第一激光對所述蝕刻保護層進行圖案化蝕刻，減薄所述蝕刻保護層上與所述圖案化的目標(biāo)印刷層的相對的區(qū)域；其中，所述第一激光的能量密度不高于所述蝕刻保護層的蝕刻門檻值，使所述圖案化的蝕刻保護層的厚度低于初始的蝕刻保護層。

在一些可選地實施例中，與所述圖案化的目標(biāo)印刷層的相對的區(qū)域內(nèi)的部分所述蝕刻保護層被清除和/或減薄，得到表面不平整的部分蝕刻保護層；所述目標(biāo)印刷層形成在所述表面不平整的部分蝕刻保護層之上。

在一些可選地實施例中，所述對所述目標(biāo)印刷層進行圖案化蝕刻，得到圖案化的目標(biāo)印刷層；其中，控制所述圖案化蝕刻穿透所述目標(biāo)印刷層到達所述蝕刻保護層，且未穿透所述蝕刻保護層，具體包括：通過第二激光對所述目標(biāo)印刷層進行圖案化蝕刻，得到圖案化的目標(biāo)印刷層；其中，所述第二激光的能量密度不低于所述目標(biāo)印刷層的蝕刻門檻值、不高于所述目標(biāo)印刷層與所述蝕刻保護層的蝕刻門檻值之和。

在一些可選地實施例中，所述蝕刻保護層選用在光照、高溫或溶劑的條件下可清除的材料。

在一些可選地實施例中，所述蝕刻保護層選用水溶性膠材。