[發明專利]晶背缺陷圖檢索及預警方法、存儲介質及計算機設備

在審

• 申請號: 202010577051.6
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111754480A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 莊均珺;王澤逸;郭明;陳旭;王艷生
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06N3/04;G06K9/62
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供了一種晶背缺陷檢測及預警方法、存儲介質及計算機設備，通過自編碼器神經網絡對數據庫中已知晶背缺陷圖進行訓練，得到晶背缺陷圖檢索模型并利用晶背缺陷檢索模型提取已知晶背缺陷圖的高維特征，并對其編碼產生第一編碼數據庫；對于待檢索晶背缺陷圖，利用晶背缺陷圖檢索模型第二編碼數據，利用最近鄰算法在第一編碼數據庫中搜索第二編碼數據；根據所述第二編碼數據在第一編碼數據庫中存在與否，得出待待檢索晶背缺陷圖為未知缺陷預警還是已知缺陷類型。由此，不僅節約了人力成本，大大縮短了判斷時間，提高了效率，而且，基于現有已知晶背缺陷圖，提高了檢索的精準率，降低了漏檢率和誤報率，為提高后續工藝的良率提供了重要保證。

技術領域

本發明涉及一種半導體集成電路制造方法，特別涉及一種晶背缺陷圖檢索及預警方法、存儲介質及計算機設備。

背景技術

在半導體芯片制造工藝中，隨著半導體芯片集成度的不斷提高，半導體器件尺寸越來越小，器件的成型要求越來越嚴格。尤其是光刻工藝不僅要求晶圓的晶面具有良好的均一性，而且要求晶圓的晶背也不能存在污染、印記等缺陷。然而，在新的技術節點和/或新產品剛開始生產時，很難避免出現各種各樣的晶背缺陷圖，這是因為各種各樣的原因都可能產生晶背缺陷圖，比如工藝機臺與晶圓背面的接觸部件如背面夾具接觸時容易在晶背上留下印記。這些印記隨著后續工藝的進行有可能會形成特定的圖形殘留，這些圖形殘留可能會形成圈狀多晶硅(Poly)殘留，從而影響晶面上光刻工藝，形成散焦(defocus)，嚴重影響產品良率。因此，需要在半導體制造過程中及時、準確的發現晶背污染或缺陷。

現有技術中，最常用的晶背缺陷圖檢測方法為：良率工程師通過掃描電子顯微鏡(SEM)來分辨晶背缺陷圖的外形、尺寸、成分等，以查找其成因。可以理解地，該方法存在以下缺陷：一是依靠人工判斷的方式，不僅需要負責檢測的良率工程師具備豐富的經驗，而且耗時耗力，效率低下；二是人為操作很難避免出現錯判或遺漏的情況。而一旦出現錯判或遺漏就可能造成良率低下，甚至晶圓的報廢。

因此，提供一種晶背缺陷圖檢索及預警方法，以能夠準確快速地對晶背缺陷圖進行自動判斷，快速發現晶背缺陷圖產生的原因日益成為本領域技術人員亟待解決的技術問題。

需要說明的是，公開于該發明背景技術部分的信息僅僅旨在加深對本發明一般背景技術的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現有技術。

發明內容

本發明的目的是提供一種晶背缺陷圖檢索及預警方法、存儲介質及計算機設備，以解決現有技術中晶背缺陷圖檢索存在的檢索效率低以及漏判和錯判的技術問題。

為實現上述目的，本發明通過以下技術方案予以實現：一種晶背缺陷圖檢索及預警方法，包括：

S1：將已知晶背缺陷圖數據庫中的已知晶背缺陷圖作為訓練樣本集，訓練自編碼神經網絡，直至得到晶背缺陷圖檢索模型；使用所述晶背缺陷圖檢索模型，分別對每一個所述已知晶背缺陷圖進行特征編碼，得到第一編碼數據庫；

S2：利用所述晶背缺陷圖模型對待檢索晶背缺陷圖進行所述特征編碼，得到第二編碼數據；

S3：利用最近鄰算法，通過在所述第一編碼數據庫中檢索所述第二編碼數據，判斷在所述已知晶背缺陷圖數據庫中是否存在所述待檢索晶背缺陷圖的候選晶背缺陷圖；

若存在，則根據所述候選晶背缺陷圖的缺陷類型判定所述待檢索晶背缺陷圖的缺陷類型；

若不存在，則給出所述待檢索晶背缺陷圖為未知缺陷預警；

其中，所述晶背缺陷圖檢索模型滿足以下條件，使用所述晶背缺陷圖檢索模型對所述第一編碼數據庫中的每一個第一編碼數據進行特征解碼，得到重構晶背缺陷圖數據集，每一個所述重構晶背缺陷圖與其對應的所述已知晶背缺陷圖的誤差均在第一預設閾值范圍內；其中，所述特征解碼為所述特征編碼的逆操作。