[發明專利]晶背缺陷圖檢索及預警方法、存儲介質及計算機設備在審
| 申請號: | 202010577051.6 | 申請日: | 2020-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN111754480A | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發明(設計)人: | 莊均珺;王澤逸;郭明;陳旭;王艷生 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G06T7/00 | 分類號: | G06T7/00;G06N3/04;G06K9/62 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 缺陷 檢索 預警 方法 存儲 介質 計算機 設備 | ||
1.一種晶背缺陷圖檢索及預警方法,其特征在于,包括:
S1:將已知晶背缺陷圖數據庫中的已知晶背缺陷圖作為訓練樣本集,訓練自編碼神經網絡,直至得到晶背缺陷圖檢索模型;使用所述晶背缺陷圖檢索模型,分別對每一個所述已知晶背缺陷圖進行特征編碼,得到第一編碼數據庫;
S2:利用所述晶背缺陷圖模型對待檢索晶背缺陷圖進行所述特征編碼,得到第二編碼數據;
S3:利用最近鄰算法,通過在所述第一編碼數據庫中檢索所述第二編碼數據,判斷在所述已知晶背缺陷圖數據庫中是否存在所述待檢索晶背缺陷圖的候選晶背缺陷圖;
若存在,則根據所述候選晶背缺陷圖的缺陷類型判定所述待檢索晶背缺陷圖的缺陷類型;
若不存在,則給出所述待檢索晶背缺陷圖為未知缺陷預警;
其中,所述晶背缺陷圖檢索模型滿足以下條件,使用所述晶背缺陷圖檢索模型對所述第一編碼數據庫中的每一個第一編碼數據進行特征解碼,得到重構晶背缺陷圖數據集,每一個所述重構晶背缺陷圖與其對應的所述已知晶背缺陷圖的誤差均在第一預設閾值范圍內;其中,所述特征解碼為所述特征編碼的逆操作。
2.根據權利要求1所述的晶背缺陷圖檢索及預警方法,其特征在于,在步驟S1之前,還包括對每一張所述已知晶背缺陷圖的原始圖片進行圖像歸一化處理,得到大小統一且通道相同的歸一化圖片;
步驟S1中,所述將已知晶背缺陷圖數據庫中的已知晶背缺陷圖作為訓練樣本集,包括將所有所述歸一化圖片作為所述訓練樣本集。
3.根據權利要求1所述的晶背缺陷圖檢索及預警方法,其特征在于,所述晶背缺陷圖檢索模型包括輸入層、殘差層以及輸出層,所述殘差層分別連接所述輸入層和所述輸出層,其中,
所述輸入層包括若干個第一卷積層;
所述殘差層包括若干個殘差子層,每個所述殘差子層由至少一個卷積塊和至少一個標識塊疊加得到,其中,每個所述卷積塊包括若干個第二卷積層和一個卷積捷徑;每個所述標識塊包括若干個第三卷積層;
所述輸出層包括若干個全連接層。
4.根據權利要求3所述的晶背缺陷圖檢索及預警方法,其特征在于,
所述第一卷積層為兩個,
和/或
所述殘差子層為三個,每個所述殘差子層包括一個卷積塊和一個標識塊,每個所述卷積塊包括三個第二卷積層和一個卷積捷徑,每個所述標識塊包括三個第三卷積層;
和/或
所述全連接層有四個。
5.根據權利要求3所述的晶背缺陷圖檢索及預警方法,其特征在于,步驟S1中,所述使用所述晶背缺陷圖檢索模型,分別對每一個所述已知晶背缺陷圖進行特征編碼,得到第一編碼數據庫,其中,所述特征編碼的方法包括如下步驟,
S11:所述輸入層接收所述訓練樣本集,并對所述訓練樣本集降維,得到特征維數為第一維數、深度為第一深度的第一特征維度數據集;
S12:所述殘差層接收所述第一特征維度數據集,并對所述第一特征維度數據集進行降維,得到特征維數為第二維數、深度為第二深度的第二特征維度數據集;
S13:所述輸出層接收所述第二特征維度數據集,并對所述第二特征維度數據集進行降維,得到特征維數為第三維數、深度為第三深度的第三特征維度數據集,將所述第三特征維度數據集作為所述第一編碼數據庫。
6.根據權利要求5所述的晶背缺陷圖檢索及預警方法,其特征在于,所述第二維數為所述第一維數的八分之一和/或所述第二深度為所述第一深度的八倍。
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