[發明專利]第三代半導體的刻蝕方法和裝置

在審

• 申請號: 202010576645.5
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111668096A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 林大野;徐文凱
• 申請（專利權）人: 徐文凱
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 張婷

本發明公開一種第三代半導體的刻蝕方法和刻蝕裝置，其中，第三代半導體的刻蝕方法，包括以下步驟：將第三代半導體晶圓放置于加工平臺上，將所述第三代半導體晶圓待加工面朝上設置；向所述第三代半導體晶圓的待加工面施加刻蝕液，并保持刻蝕液在所述第三代半導體晶圓的待加工面流動更新。本發明技術方案能夠有效提升刻蝕的均勻性，有利于提升晶圓的質量、良品率以及性能的可靠性。

技術領域

本發明涉及第三代半導體加工領域，特別涉及一種第三代半導體的刻蝕方法和裝置。

背景技術

第三代化合物半導體材料通常是非常易脆的。在制造過程中，通過從工藝工具、傳送工具，以及從工藝盒到運輸盒的轉移，這些材料的晶圓片很容易破碎、剝落和破裂。濕法刻蝕工藝是曝光完成后，通過刻蝕暴露的半導體材料來形成器件結構的關鍵工藝步驟?，F有的濕法刻蝕工藝加工第三代化合物半導體材料具有刻蝕不均勻的問題，影響加工精度。

發明內容

本發明的主要目的是提出一種第三代半導體的刻蝕方法，旨在使得第三代半導體刻蝕更加均勻。

為實現上述目的，本發明提出的一種第三代半導體的刻蝕方法，包括以下步驟：

將第三代半導體晶圓放置于加工平臺上，將所述第三代半導體晶圓待加工面朝上設置；

向所述第三代半導體晶圓的待加工面施加刻蝕液，并保持刻蝕液在所述第三代半導體晶圓的待加工面流動更新。

可選地，所述向所述第三代半導體晶圓的待加工面施加刻蝕液的步驟包括：

通過噴淋的方式將刻蝕液施加在所述第三代半導體晶圓的待加工面上。

可選地，所述第三代半導體的刻蝕方法在所述向所述第三代半導體晶圓的待加工面施加刻蝕液的步驟之前還包括：

通過水將所述第三代半導體晶圓的待加工面潤濕。

可選地，所述第三代半導體的刻蝕方法在所述向所述第三代半導體晶圓的待加工面施加刻蝕液，并保持刻蝕液在所述第三代半導體晶圓的待加工表面流動更新的步驟之后還包括：

向所述待第三代半導體晶圓的待加工面施加水進行清潔。

可選地，所述第三代半導體的刻蝕方法在所述向所述第三代半導體晶圓的待加工面施加水進行清潔的步驟之后還包括：

采用有機溶劑與氮氣噴淋干燥所述第三代半導體晶圓；或者，將所述第三代半導體晶圓放入氮氣烘箱中干燥。

可選地，所述第三代半導體晶圓的原材料包括砷化鎵、砷化鋁鎵、氮化鎵、氮化鋁鎵中的任意一種或多種。

可選地，所述第三代半導體晶圓包括依次層疊設置的襯底、集電極、基電極和射電極。

本發明還提出一種第三代半導體的刻蝕裝置，包括：

加工平臺，所述加工平臺用于放置第三代半導體晶圓；以及，

第一噴頭，所述第一噴頭位于所述加工平臺的上方，所述第一噴頭朝向所述加工平臺設置，所述第一噴頭用于連通刻蝕液。

可選地，所述第一噴頭設有多個供液管，多個所述供液管包括供刻蝕液管、供水管以及供干燥劑管；或者，

所述第三代半導體材料的刻蝕裝置還包括：用于連通水的所第二噴頭，以及用于連通干燥劑的第三噴頭。

可選地，所述第一噴頭為聚四氟乙烯噴頭。