[發明專利]第三代半導體的刻蝕方法和裝置

在審

• 申請號: 202010576645.5
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111668096A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 林大野;徐文凱
• 申請（專利權）人: 徐文凱
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 張婷

1.一種第三代半導體的刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：

將第三代半導體晶圓放置于加工平臺上，將所述第三代半導體晶圓待加工面朝上設置；

向所述第三代半導體晶圓的待加工面施加刻蝕液，并保持刻蝕液在所述第三代半導體晶圓的待加工面流動更新。

2.如權利要求1所述的第三代半導體的刻蝕方法，其特征在于，所述向所述第三代半導體晶圓的待加工面施加刻蝕液的步驟包括：

通過噴淋的方式將刻蝕液施加在所述第三代半導體晶圓的待加工面上。

3.如權利要求2所述的第三代半導體的刻蝕方法，其特征在于，所述第三代半導體的刻蝕方法在所述向所述第三代半導體晶圓的待加工面施加刻蝕液的步驟之前還包括：

通過水將所述第三代半導體晶圓的待加工面潤濕。

4.如權利要求3所述的第三代半導體的刻蝕方法，其特征在于，所述第三代半導體的刻蝕方法在所述向所述第三代半導體晶圓的待加工面施加刻蝕液，并保持刻蝕液在所述第三代半導體晶圓的待加工表面流動更新的步驟之后還包括：

向所述待第三代半導體晶圓的待加工面施加水進行清潔。

5.如權利要求4所述的第三代半導體的刻蝕方法，其特征在于，所述第三代半導體的刻蝕方法在所述向所述第三代半導體晶圓的待加工面施加水進行清潔的步驟之后還包括：

采用有機溶劑與氮氣噴淋干燥所述第三代半導體晶圓；或者，將所述第三代半導體晶圓放入氮氣烘箱中干燥。

6.如權利要求1所述的第三代半導體的刻蝕方法，其特征在于，所述第三代半導體晶圓的原材料包括砷化鎵、砷化鋁鎵、氮化鎵、氮化鋁鎵中的任意一種或多種。

7.如權利要求1至6任一項所述的第三代半導體的刻蝕方法，其特征在于，所述第三代半導體晶圓包括依次層疊設置的襯底、集電極、基電極和射電極。

8.一種第三代半導體的刻蝕裝置，其特征在于，包括：

加工平臺，所述加工平臺用于放置第三代半導體晶圓；以及，

第一噴頭，所述第一噴頭位于所述加工平臺的上方，所述第一噴頭朝向所述加工平臺設置，所述第一噴頭用于連通刻蝕液。

9.如權利要求8所述的第三代半導體的刻蝕裝置，其特征在于，所述第一噴頭設有多個供液管，多個所述供液管包括供刻蝕液管、供水管以及供干燥劑管；或者，

所述第三代半導體材料的刻蝕裝置還包括：用于連通水的所第二噴頭，以及用于連通干燥劑的第三噴頭。

10.如權利要求9所述的第三代半導體的刻蝕裝置，其特征在于，所述第一噴頭為聚四氟乙烯噴頭。