[發明專利]半導體結構、半導體結構的制造方法及電子設備

在審

• 申請號: 202010576047.8
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN113903738A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 安佑松;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 付婧

本申請公開了一種半導體結構、半導體結構的制造方法及電子設備。本申請提供的半導體結構，包括半導體基底、位于半導體基底上的突起結構，突起結構包括互不接觸的上部分和下部分，位于突起結構兩側的側墻，側墻的上部位于突起結構上部分的側壁上，側墻的下部、突起結構的上部分與突起結構的下部分之間具有空氣隙，該空氣隙大大降低了突起結構的電容。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，具體涉及一種半導體結構、半導體結構的制造方法及電子設備。

背景技術

DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器)的主要特性中數據感應裕度與位線電容(CBL)特性密切相關。DRAM設備的尺寸越來越小，為了使感應裕度維持上代的水平，必須降低位線電容。決定位線電容的最大要素是位線側墻的厚度與側墻的介電常數。為了確保DRAM裝置充分的感應裕度必須要降低位線電容或提高單元電容。

發明內容

本申請的目的是提供一種半導體結構、半導體結構的制造方法及電子設備。為了對披露的實施例的一些方面有一個基本的理解，下面給出了簡單的概括。該概括部分不是泛泛評述，也不是要確定關鍵/重要組成元素或描繪這些實施例的保護范圍。其唯一目的是用簡單的形式呈現一些概念，以此作為后面的詳細說明的序言。

根據本申請實施例的一個方面，提供一種半導體結構，包括：

半導體基底；

位于所述半導體基底上的突起結構；所述突起結構包括互不接觸的上部分和下部分；以及

位于所述突起結構兩側的第一側墻，所述第一側墻的上部位于所述突起結構上部分的側壁上，所述第一側墻的下部、所述突起結構的上部分與所述突起結構的下部分之間具有空氣隙。

根據本申請實施例的另一個方面，提供一種半導體結構的制造方法，包括：

提供半導體基底，所述半導體基底上包括突起結構，所述突起結構包括由下而上依次層疊設置的下部分、第一犧牲層和上部分；

在所述突起結構兩側形成第二犧牲層，所述第二犧牲層包括連接的豎直部分和水平部分，所述豎直部分位于所述突起結構的下部分側壁上并與所述第一犧牲層相接觸，所述豎直部分的上端與所述第一犧牲層的頂面相平齊，所述水平部分位于所述半導體基底之上；

在所述第二犧牲層之上形成第一側墻；

刻蝕所述第一犧牲層和所述第二犧牲層，從而在所述第一側墻、所述突起結構的上部分和所述突起結構的下部分之間形成空氣隙。

根據本申請實施例的另一個方面，提供一種電子設備，包括上述的半導體結構。

本申請實施例的其中一個方面提供的技術方案可以包括以下有益效果：

本申請實施例提供的半導體結構，包括半導體基底、位于半導體基底上的突起結構，突起結構包括互不接觸的上部分和下部分，位于突起結構兩側的第一側墻，第一側墻的上部位于突起結構上部分的側壁上，第一側墻的下部、突起結構的上部分與突起結構的下部分之間具有空氣隙，該空氣隙大大降低了突起結構的電容。

本申請的其他特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者，部分特征和優點可以從說明書中推知或毫無疑義地確定，或者通過實施本申請實施例了解。本申請的目的和其他優點可通過在所寫的說明書、權利要求書、以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。