[發明專利]半導體結構、半導體結構的制造方法及電子設備

在審

• 申請號: 202010576047.8
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN113903738A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 安佑松;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 付婧

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

半導體基底；

位于所述半導體基底上的突起結構，所述突起結構包括互不接觸的上部分和下部分；以及

位于所述突起結構兩側的第一側墻，所述第一側墻的上部位于所述突起結構上部分的側壁上，所述第一側墻的下部、所述突起結構的上部分與所述突起結構的下部分之間具有空氣隙。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一側墻的底面與所述半導體基底之間具有所述空氣隙的開口結構。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，還包括第二側墻，所述第二側墻覆蓋所述第一側墻的外側和所述突起結構的頂面，所述第二側墻的底部延伸至所述空隙內并封住所述開口結構。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，還包括單元接觸件，所述單元接觸件設置在相鄰兩個所述突起結構之間，所述單元接觸件的一端插入所述半導體基底內。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述突起結構在所述基底上沿第一方向延伸。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括若干柵欄，所述柵欄的延伸方向與所述第一方向相互垂直交叉。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述突起結構包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于相鄰兩所述柵欄之間，所述第二部分位于所述柵欄下方且與所述柵欄相接觸。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，在所述第一部分中，所述第一側墻的上端與所述突起結構的上端相平齊。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，還包括第三氮化物層，所示第三氮化物層覆蓋所述半導體基底、所述第一側墻和所述突起結構。

10.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，在所述第二部分中，所述第一側墻的上端低于所述突起結構的上端。

11.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述突起結構為柵極或位線。

12.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體基底，所述半導體基底上包括突起結構，所述突起結構包括由下而上依次層疊設置的下部分、第一犧牲層和上部分；

在所述突起結構兩側形成第二犧牲層，所述第二犧牲層包括連接的豎直部分和水平部分，所述豎直部分位于所述突起結構的下部分側壁上并與所述第一犧牲層相接觸，所述豎直部分的上端與所述第一犧牲層的頂面相平齊，所述水平部分位于所述半導體基底之上；

在所述第二犧牲層之上形成第一側墻；

刻蝕所述第一犧牲層和所述第二犧牲層，從而在所述第一側墻、所述突起結構的上部分和所述突起結構的下部分之間形成空氣隙。

13.根據權利要求12所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述在所述突起結構兩側形成第二犧牲層，包括：

沉積第二氧化物層；所述第二氧化物層覆蓋所述半導體基底和所述突起結構；

在整個所述半導體結構上淀積介質層，所述介質層的頂面高于所述第二氧化物層的頂面；

先后將所述介質層與所述第二氧化物層回刻至與所述第一犧牲層的頂面基本相平齊，所述第二氧化物層形成為第二犧牲層。

14.根據權利要求12所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述在所述第二犧牲層之上形成第一側墻之前，所述方法還包括：

刻蝕減薄所述第二犧牲層的水平部分。