[發明專利]標簽的識別及處理方法以及標簽的識別及處理系統

在審

• 申請號: 202010576040.6
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN113903678A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 李其衡;賀曉彬;李亭亭;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G03F7/42;G03F7/00
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 郎志濤

本申請屬于半導體技術領域，具體涉及一種標簽的識別及處理方法以及標簽的識別及處理系統，該控制方法包括搜尋晶圓上的標簽區域，獲取晶圓邊緣曝光的第一曝光區域，確定所述標簽區域是否在所述第一曝光區域內，如果標簽區域不在曝光區域內改變曝光區域的大小，如果標簽區域在曝光區域內，對曝光區域進行曝光，曝光完成后，去除標簽區域的光刻膠。根據發明實施例的標簽的識別及處理方法，在進行加工的過程中，晶圓的表面逐漸形成層疊的不透明膜質，會導致在進行晶圓識別時標簽的識別率下降，對曝光區域的大小進行改變，使標簽區域在曝光區域內，對標簽區域進行曝光，使標簽區域表面的光刻膠感光，去除標簽區域內的光刻膠。

技術領域

本申請屬于半導體技術領域，具體涉及一種標簽的識別及處理方法以及標簽的識別及處理系統。

背景技術

本部分提供的僅僅是與本公開相關的背景信息，其并不必然是現有技術。

大面積的晶圓在晶圓制造工藝中有很高的價值，為了保持精確的可追溯性，需要將多個晶圓區別開從而防止誤操作，激光標記識別便可以達成這一功能。一般，在對晶圓進行加工以產生期望的芯片或集成電路的過程中，會在晶圓的某個位置，例如外周區域制造一個激光標志區。識別標記設置在該激光標志區內，該識別標記標記了代碼或編碼或序列號，一般由數字和字母組成字符串。通過識別該識別標記就可以識別出所加工的晶圓的信息，例如獲知所加工的晶圓的批次、批號、日期等信息。但在晶圓加工的過程中，晶圓的表面逐漸沉積各種功能層，功能層的數量與標簽的識別率成反比，從而導致標簽的識別率降低甚至無法識別。

發明內容

本申請的第一方面提出了一種標簽的識別及處理方法，包括：

搜尋晶圓上的標簽區域；

獲取晶圓邊緣曝光的第一曝光區域；

確定所述標簽區域是否在所述第一曝光區域內，如果所述標簽區域不在曝光區域內，改變所述曝光區域的大小，如果所述標簽區域在所述曝光區域內，對所述曝光區域進行曝光；

曝光完成后，去除所述標簽區域的光刻膠。

本申請的第二方面提出了一種標簽的識別及處理系統，用于執行上述技術方案中的標簽的識別及處理方法，包括：

搜尋模塊，所述搜尋模塊用于搜尋晶圓上的標簽區域；

改變模塊，所述改變模塊用于如果所述標簽區域不在所述曝光區域內，改變所述曝光區域的大小；

曝光模塊，所述曝光模塊用于如果所述標簽區域在所述曝光區域內，對所述曝光區域進行曝光；

去除模塊，所述去除模塊用于曝光完成后，去除所述標簽區域的光刻膠。

附圖說明

通過閱讀下文優選實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優選實施方式的目的，而并不認為是對本申請的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：

圖1為本申請實施例的標簽的識別及處理方法的流程圖；

圖2為圖1所示的一種實施例的如果所述標簽區域在所述曝光區域內，對所述曝光區域進行曝光的流程圖；

圖3為圖1所示的一種實施例的曝光完成后，去除所述標簽區域的光刻膠的流程圖；

圖4為本申請一種實施例的標簽的識別及處理方法的完整流程圖；

圖5為本申請一種實施例中第一曝光區域未改變的示意圖；

圖6為本申請一種實施例中第一曝光區域改變為第二曝光區域的示意圖；

圖7為本申請另一種實施例的標簽的識別及處理方法的流程圖；