[發明專利]標簽的識別及處理方法以及標簽的識別及處理系統在審
| 申請號: | 202010576040.6 | 申請日: | 2020-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN113903678A | 公開(公告)日: | 2022-01-07 |
| 發明(設計)人: | 李其衡;賀曉彬;李亭亭;楊濤;李俊峰;王文武 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G03F7/42;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人: | 郎志濤 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 標簽 識別 處理 方法 以及 系統 | ||
1.一種標簽的識別及處理方法,其特征在于,包括:
搜尋晶圓上的標簽區域;
獲取晶圓邊緣曝光的第一曝光區域;
確定所述標簽區域是否在所述第一曝光區域內,如果所述標簽區域不在曝光區域內,改變所述曝光區域的大小,如果所述標簽區域在所述曝光區域內,對所述曝光區域進行曝光;
曝光完成后,去除所述標簽區域的光刻膠。
2.根據權利要求1所述的標簽的識別及處理方法,其特征在于,所述如果所述標簽區域不在曝光區域內,改變所述曝光區域的大小包括:如果所述標簽區域不在所述第一曝光區域內,改變所述第一曝光區域的大小為第二曝光區域,以使所述標簽區域在所述第二曝光區域內。
3.根據權利要求2所述的標簽的識別及處理方法,其特征在于,在所述改變所述第一曝光區域的大小為第二曝光區域,以使所述標簽區域在所述第二曝光區域內中,改變所述第一曝光區域的部分區域以形成所述第二曝光區域。
4.根據權利要求3所述的標簽的識別及處理方法,其特征在于,所述如果所述標簽區域在所述曝光區域內,對所述曝光區域進行曝光包括:
獲取所述第二曝光區域;
確定所述標簽區域是否在所述第二曝光區域內;
如果所述標簽區域在所述第二曝光區域內,對所述第二曝光區域進行曝光。
5.根據權利要求4所述的標簽的識別及處理方法,其特征在于,改變所述第一曝光區域的大小為所述第二曝光區域在涂膠顯影機中執行晶圓邊緣曝光的過程中完成。
6.根據權利要求5所述的標簽的識別及處理方法,其特征在于,所述曝光完成后,去除所述標簽區域的光刻膠包括:
曝光完成后,開啟所述涂膠顯影機;
對所述第二曝光區域進行顯影以去除所述標簽區域的光刻膠。
7.根據權利要求1所述的標簽的識別及處理方法,其特征在于,所述標簽的識別及處理方法還包括:獲取掃描式曝光機的第三曝光區域;
確定所述標簽區域是否在所述第三曝光區域內;
如果所述標簽區域不在曝光區域內,改變所述曝光區域的大小,如果所述標簽區域在所述曝光區域內,對所述曝光區域進行曝光;
曝光完成后,去除所述標簽區域的光刻膠。
8.根據權利要求7所述的標簽的識別及處理方法,其特征在于,所述如果所述標簽區域不在曝光區域內,改變所述第三曝光區域的大小包括:
如果所述標簽區域不在所述第三曝光區域內,改變所述第三曝光區域的大小為第四曝光區域,以使所述標簽區域在所述第四曝光區域內。
9.根據權利要求7所述的標簽的識別及處理方法,其特征在于,在所述改變所述第三曝光區域的大小為第四曝光區域,以使所述標簽區域在所述第四曝光區域內中,改變所述掃描式曝光機的光掩模板的大小。
10.根據權利要求9所述的標簽的識別及處理方法,其特征在于,在所述改變所述掃描式曝光機的光掩模板的大小中,改變所述光掩模板的部分區域以形成所述第四曝光區域。
11.根據權利要求10所述的標簽的識別及處理方法,其特征在于,所述如果所述標簽區域在所述曝光區域內,對所述曝光區域進行曝光包括:
獲取所述第四曝光區域;
確定所述標簽區域是否在所述第四曝光區域內;
如果所述標簽區域在所述第四曝光區域內,對所述第四曝光區域進行曝光。
12.根據權利要求11所述的標簽的識別及處理方法,其特征在于,所述曝光完成后,去除所述標簽區域的光刻膠包括:
如果曝光完成,開啟顯影機;
對所述第四曝光區域進行顯影以去除所述標簽區域的光刻膠。
13.一種標簽的識別及處理系統,用于執行權利要求1的標簽的識別及處理方法,其特征在于,包括:
搜尋模塊,所述搜尋模塊用于搜尋晶圓上的標簽區域;
改變模塊,所述改變模塊用于如果所述標簽區域不在所述曝光區域內,改變所述曝光區域的大小;
曝光模塊,所述曝光模塊用于如果所述標簽區域在所述曝光區域內,對所述曝光區域進行曝光;
去除模塊,所述去除模塊用于曝光完成后,去除所述標簽區域的光刻膠。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





