[發明專利]一種新型電光調制器

在審

• 申請號: 202010575952.1
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111665647A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 崔積適
• 申請（專利權）人: 三明學院
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03;G02F1/015
• 代理公司: 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙) 35222
• 代理人: 楊唯

一種新型電光調制器，涉及電光調制器領域。包括第一電極、第二電極、電光調制部和基底層。電光調制部設于基底層，第一電極和第二電極分設于電光調制部兩端。第一電極同電光調制部的第一工作連接端之間填充有第一填充層，第二電極同電光調制部的第二工作連接端之間填充有第二填充層。其中，第一填充層和第二填充層均為SiO2。其結構簡單，具有更高的工作響應度、更低的功耗和更小的電極光吸收，整體性能提升明顯，對于提升整個光纖通信系統的性能具有積極作用。

技術領域

本發明涉及電光調制器領域，具體而言，涉及一種新型電光調制器。

背景技術

現有的電光調制器在實際使用過程中，其工作響應度的進一步提升、功耗的進一步下降、電極光吸收的減小均具有一定的難度，這對電光調制器的實際應用構成了一定的限制，對于整個光纖通信系統的性能提升造成了阻礙。

有鑒于此，特提出本申請。

發明內容

本發明的目的在于提供一種新型電光調制器，其結構簡單，具有更高的工作響應度、更低的功耗和更小的電極光吸收，整體性能提升明顯，對于提升整個光纖通信系統的性能具有積極作用。

本發明的實施例是這樣實現的：

一種新型電光調制器，其包括：第一電極、第二電極、電光調制部和基底層。電光調制部設于基底層，第一電極和第二電極分設于電光調制部兩端。第一電極同電光調制部的第一工作連接端之間填充有第一填充層，第二電極同電光調制部的第二工作連接端之間填充有第二填充層。其中，第一填充層和第二填充層均為SiO2。

進一步地，電光調制部包括重摻雜p型硅、重摻雜n型硅、p-Si波導區和n-Si波導區。p-Si波導區和n-Si波導區連接，重摻雜p型硅連接于p-Si波導區的遠離n-Si波導區的一側，重摻雜n型硅連接于n-Si波導區的遠離p-Si波導區的一側。

進一步地，基底層和電光調制部之間填充有第三填充層，第三填充層為SiO2。

進一步地，電光調制部覆蓋有覆蓋層，覆蓋層為SiO2。

進一步地，基底層和電光調制部之間填充有第三填充層。電光調制部覆蓋有覆蓋層。第三填充層和覆蓋層均為SiO2。第一填充層、第二填充層、第三填充層和覆蓋層相連接構成一體的填充結構。

進一步地，第一電極和第二電極均嵌設于填充結構。

進一步地，第一電極和第一工作連接端的相近側壁平行設置，第二電極和第二工作連接端的相近側壁也平行設置。

本發明實施例的有益效果是：

本發明實施例提供的新型電光調制器在工作過程中，當輸入信號電壓時，第一電極輸入高電平，第二電極輸入低電平，電壓在第一電極和第二電極之間形成電場。在電場作用下，電光調制部完成光的調制。

新型電光調制器的第一電極和第二電極二者同電光調制部之間利用第一填充層和第二填充層進行隔斷，阻止了第一電極和第二電極二者同電光調制部之間產生電流。對于傳統的電光調制器而言，其電極與電光調制部是直接接觸并導通的，點擊直接導通電流。而新型電光調制器采用了類似電容的結構，不從第一電極和第二電極直接注入電流，而是通過電場來改變載流子的分布，整體上響應更快。

通過以上設計，利用第一填充層和第二填充層進行了電流隔斷，增加了第一電極和第二電極二者同電光調制部之間的距離，減小了電極的光吸收。在總體尺寸不變的情況下，減短了電光調制部的slab區的長度，提高了器件的工作速率。此外，第一填充層和第二填充層的隔斷效果還減小了電極之間的電流，降低了功耗，將暗電流降為0。

總體而言，本發明實施例提供的新型電光調制器結構簡單，具有更高的工作響應度、更低的功耗和更小的電極光吸收，整體性能提升明顯，對于提升整個光纖通信系統的性能具有積極作用。