[發(fā)明專利]一種新型電光調制器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010575952.1
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111665647A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設計）人: 崔積適
• 申請（專利權）人: 三明學院
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03;G02F1/015
• 代理公司: 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙) 35222
• 代理人: 楊唯

1.一種新型電光調制器，其特征在于，包括：第一電極、第二電極、電光調制部和基底層；所述電光調制部設于所述基底層，所述第一電極和所述第二電極分設于所述電光調制部兩端；所述第一電極同所述電光調制部的第一工作連接端之間填充有第一填充層，所述第二電極同所述電光調制部的第二工作連接端之間填充有第二填充層；其中，所述第一填充層和所述第二填充層均為SiO₂。

2.根據權利要求1所述的新型電光調制器，其特征在于，所述電光調制部包括重摻雜p型硅、重摻雜n型硅、p-Si波導區(qū)和n-Si波導區(qū)；所述p-Si波導區(qū)和所述n-Si波導區(qū)連接，所述重摻雜p型硅連接于所述p-Si波導區(qū)的遠離所述n-Si波導區(qū)的一側，所述重摻雜n型硅連接于所述n-Si波導區(qū)的遠離所述p-Si波導區(qū)的一側。

3.根據權利要求1所述的新型電光調制器，其特征在于，所述基底層和所述電光調制部之間填充有第三填充層，所述第三填充層為SiO₂。

4.根據權利要求1所述的新型電光調制器，其特征在于，所述電光調制部覆蓋有覆蓋層，所述覆蓋層為SiO₂。

5.根據權利要求1所述的新型電光調制器，其特征在于，所述基底層和所述電光調制部之間填充有第三填充層；所述電光調制部覆蓋有覆蓋層；所述第三填充層和所述覆蓋層均為SiO₂；所述第一填充層、所述第二填充層、所述第三填充層和所述覆蓋層相連接構成一體的填充結構。

6.根據權利要求5所述的新型電光調制器，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極均嵌設于所述填充結構。

7.根據權利要求1所述的新型電光調制器，其特征在于，所述第一電極和所述第一工作連接端的相近側壁平行設置，所述第二電極和所述第二工作連接端的相近側壁也平行設置。