[發明專利]光刻膠涂布系統以及更換光刻膠的方法

在審

• 申請號: 202010575946.6
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111897187A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 金在植;張成根;林鍾吉;賀曉彬;劉金彪;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 郎志濤

本申請屬于光刻膠涂布技術領域，具體涉及一種光刻膠涂布系統以及更換光刻膠的方法，光刻膠涂布系統包括：供膠機構，供膠機構包括依次連接的供膠瓶、過濾器和噴嘴；清理機構，清理機構包括真空裝置和真空管路，真空裝置通過真空管路與過濾器連接，真空裝置通過在真空管路內形成負壓的方式將過濾器內的氣泡和雜質顆粒吸出。根據本申請的光刻膠涂布系統，當需要用新品種的光刻膠替換光刻膠涂布系統內原有的光刻膠時，需要對光刻膠涂布系統進行清洗才能設置新品種的光刻膠，而對過濾器的清洗尤為重要，本申請通過真空裝置吹掃清洗過濾器內附著的氣泡和雜質顆粒，以此降低光刻膠涂布系統的清洗時間。

技術領域

本申請屬于光刻膠涂布技術領域，具體涉及一種光刻膠涂布系統以及更換光刻膠的方法。

背景技術

本部分提供的僅僅是與本公開相關的背景信息，其并不必然是現有技術。

在半導體制造過程中，需要多次使用光刻工藝，光刻工藝的本質是把電路結構以圖形的形式復制到以后要進行刻蝕和離子注入的硅片上，主要包括如下步驟：首先利用光刻膠涂布系統在硅片上形成一層光刻膠薄層，再將平行光經過掩膜版照射在光刻膠薄層上使其曝光而變質，最后利用顯影液進行顯影完成圖形轉移。但在光刻膠涂布時，由于光刻膠涂布系統的光刻膠含有雜質顆粒或含有氣泡，易造成光刻膠涂布膜層不均勻，使光刻膠膜層厚度出現偏差或膜層報廢，影響后續相關工藝的進行。為了減少光刻膠涂布系統內的雜質顆粒或氣泡，在設置光刻膠涂布系統時或者更換光刻膠涂布系統內的光刻膠品種時，一般會通過過濾器對光刻膠涂布系統內的雜質顆粒或氣泡進行過濾，以此減少光刻膠涂布系統內附著的雜質顆粒或氣泡。

隨著半導體上圖形的尺寸縮小到20nm以下，過濾器的過濾孔徑尺寸也會變小，那么，現有的光刻膠設置工藝無法滿足下列的管理水準：

1)光刻膠涂布系統噴涂出的每26nm長度的光刻膠內雜質顆粒的數量不得超過10個；

2)在設置光刻膠涂布系統的過程中,如果失敗率超過20％，則需要返工對光刻膠涂布系統進行重新設置；

3)在對現有類型的光刻膠進行設置時，光刻膠涂布系統的設置穩定時間需要控制在一周的時間內。

發明內容

本申請的第一方面提供了一種光刻膠涂布系統，包括：

供膠機構，供膠機構包括依次連接的供膠瓶、過濾器和噴嘴；

清理機構，清理機構包括真空裝置和真空管路，真空裝置通過真空管路與過濾器連接，真空裝置通過在真空管路內形成負壓的方式將過濾器內的氣泡和雜質顆粒吸出。

本申請的第二方面還提出了一種更換光刻膠的方法，更換光刻膠的方法包括：

對光刻膠涂布系統的供膠管路進行清洗和氮氣吹掃；

檢測供膠管路內的雜質顆粒數量；

當供膠管路內的雜質顆粒數量達標時，設置光刻膠涂布系統的過濾器，并通過光刻膠溶劑清洗供膠管路和過濾器；

檢測過濾器內的雜質顆粒數量；

當過濾器內的雜質顆粒數量達標時，設置光刻膠涂布系統的供膠瓶，通過光刻膠涂布系統噴涂光刻膠；

檢測光刻膠內的雜質顆粒數量；

當光刻膠內的雜質顆粒數量達標時，光刻膠涂布系統設置完成。

附圖說明

通過閱讀下文具體實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出具體實施方式的目的，而并不認為是對本申請的限制。而且在整個附圖中，用相同的附圖標記表示相同的部件。其中：

圖1為本申請實施例的光刻膠涂布系統的結構示意圖；