[發明專利]分割曝光掩模、分割曝光方法、曝光圖案和觸摸傳感器在審
| 申請號: | 202010575711.7 | 申請日: | 2020-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN112230506A | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | 金炳仁;張民錫 | 申請(專利權)人: | 東友精細化工有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F1/70;G03F7/20;G03F7/22;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 鐘錦舜;姜香丹 |
| 地址: | 韓國全*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分割 曝光 方法 圖案 觸摸 傳感器 | ||
提供了一種分割曝光掩模、分割曝光方法、曝光圖案和觸摸傳感器。該分割曝光掩模用于在具有N個分割曝光區域的基板上通過分割曝光形成圖案,具有與2至N?1個分割曝光區域相對應的尺寸,并且被分割為2至N?1個。
技術領域
本發明涉及一種分割曝光,具體而言,涉及一種能夠通過最小化分割曝光邊界部分處的階差和線寬等差異來防止或最少化在分割曝光邊界部分處識別出線跡不均勻的分割曝光掩模、分割曝光方法、曝光圖案和觸摸傳感器。
背景技術
在顯示裝置中,陣列基板可以包括薄膜晶體管、像素電極等。在形成像素電極等時,涉及圖案形成工藝,圖案形成包括沉積、光刻、蝕刻等工藝,其中,光刻工藝執行如下工藝:將光致抗蝕劑涂覆到基板的整個表面,然后將掩模放置在基板上并進行曝光。
近年來,隨著大型顯示裝置的發展,通常在大面積基板上形成圖案,在這種情況下難以在大面積基板上通過單次曝光形成圖案,因此,應用了將基板分割成多個曝光區域并依次曝光各個分割曝光區域的方法,即,分割曝光方法。
圖1示出了現有的分割曝光方法。
如圖1所示,在分割曝光中,可以將基板10分割成多個分割曝光區域11至13,并在通過曝光掩模20使各個分割曝光區域11至13依次曝光的同時在整個基板10上形成圖案。
然而,當在移動曝光掩模20的同時執行分割曝光時,由于移位、旋轉、變形等而在相鄰的分割曝光區域11至13之間可能會發生未對準,并且在這種情況下,由于邊界部分處的重疊曝光,因此向光致抗蝕劑施加兩倍的光,結果,圖案的厚度或寬度在邊界部分處可能會改變。
當圖案是諸如觸摸傳感器等電路布線時,圖案的厚度或寬度的改變會改變布線電阻而引起諸如信號延遲等問題。圖案的厚度或寬度可能會在分割曝光區域的邊界部分處改變,在這種情況下,可能會導致屏幕亮度的差異,結果,在分割曝光區域的邊界部分處會出現帶狀線跡(stitch)不均勻,從而導致屏幕品質下降。
圖1示出了將基板10分割成三個分割曝光區域11至13的情況,在這種情況下,在基板10上,可以在曝光區域的最外側形成兩個邊界部分B1和B4,并且在分割曝光區域之間形成兩個邊界部分B2和B3。這里,關于線跡不均勻,顯示區域內的第二邊界部分B2、第三邊界部分B3是重要的,如果在這些邊界部分B2、B3中產生較大的厚度或寬度的差異,則肉眼可以看到線跡不均勻的可能性會增加。
在圖1中,假設曝光掩模20由于固有的曝光偏差而分別在曝光掩模20的左端和右端形成圖案厚度a和b,則在第二邊界部分B2中,邊界部分的階差可能會以b:a的形式發生,并且在第三邊界部分B3中,邊界部分的階差可能會以b:a的形式發生。在圖1中,由于曝光掩模20不重疊曝光,因此曝光掩模20的曝光量為基準曝光量的100%。在這種情況下,在第二邊界部分B2和第三邊界部分B3中,邊界部分的階差的差可以分別是絕對值│b-a│。如上所述,在圖1的現有技術中,在分割曝光區域的邊界部分處發生的圖案厚度的差異,即階差的差,實際上原樣反映了曝光掩模20的固有曝光偏差。如果曝光掩模20的固有曝光偏差大,則絕對值│b-a│變大,結果,在分割曝光區域的邊界部分處識別出線跡不均勻的可能性變高。
為了解決這種問題,韓國專利公開第2006-0036606號(液晶顯示裝置制造方法)提出了用于形成柵極布線的掩模工藝、用于形成有源層的掩模工藝、用于形成源/漏電極的掩模工藝以及用于在保護膜上形成接觸孔的掩模工藝中的一個或兩個掩模工藝中重疊分割曝光的方法。然而,韓國專利公開第2006-0036606號提出了一種重疊不同圖案的邊界(而不是一個圖案)的方法,并且在形成一個圖案時最小化在邊界部分處出現的圖案的厚度或寬度的變化方面具有局限性。
韓國專利公開第2007-0052035號(分割曝光型曝光設備及使用該設備的圖案形成方法)提出了遮光區域由透光率逐漸變化的部分透光部分組成。然而,韓國專利公開第2007-0052035號在減小邊界部分處的圖案的厚度或寬度的差異方面具有局限性,因為邊界部分廣泛地擴展。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東友精細化工有限公司,未經東友精細化工有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010575711.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:電容式微機械加速度計
- 下一篇:薄膜的制造方法
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





