[發(fā)明專利]分割曝光掩模、分割曝光方法、曝光圖案和觸摸傳感器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010575711.7
• 申請(qǐng)日: 2020-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN112230506A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金炳仁;張民錫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東友精細(xì)化工有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/00
• 分類號(hào): G03F1/00;G03F1/70;G03F7/20;G03F7/22;G03F9/00
• 代理公司: 北京市中倫律師事務(wù)所 11410
• 代理人: 鐘錦舜;姜香丹

1.一種分割曝光掩模，所述分割曝光掩模用于在具有N個(gè)分割曝光區(qū)域的基板上通過分割曝光形成圖案，N是3以上的自然數(shù)，其中，

所述分割曝光掩模具有與2至N-1個(gè)分割曝光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的尺寸，并且被分割為2至N-1個(gè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分割曝光掩模，其中，當(dāng)作為掩模分割區(qū)域的數(shù)量的所述2至N-1的數(shù)量為M時(shí)，使用所述分割曝光掩模的曝光拍攝的數(shù)量為N+M-1。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分割曝光掩模，其中，所述掩模分割區(qū)域選擇性地由透光區(qū)域或遮光區(qū)域構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的分割曝光掩模，其中，第一次到第M次曝光拍攝將所述基板從一端到第M分割曝光區(qū)域曝光，并且在所述基板的一個(gè)方向上將透光區(qū)域依次增加一個(gè)掩模分割區(qū)域，從而第M次曝光拍攝將掩模分割區(qū)域全部構(gòu)成為透光區(qū)域，

從第M+1次至第N-2次的曝光拍攝在第M次曝光拍攝中在所述基板的另一端方向上依次移動(dòng)一個(gè)掩模分割區(qū)域的同時(shí)進(jìn)行曝光，并且將掩模分割區(qū)域全部構(gòu)成為透光區(qū)域，并且

從第N-1次到第N+M-1次的曝光拍攝將所述基板從所述另一端沿所述一個(gè)方向曝光至第M分割曝光區(qū)域，第N-1次曝光拍攝將掩模分割區(qū)域全部構(gòu)成為透光區(qū)域，并且從第N次曝光拍攝起，在所述基板的一個(gè)方向上將遮光區(qū)域依次增加一個(gè)掩模分割區(qū)域，從而第N+M-1次曝光拍攝將M-1個(gè)掩模分割區(qū)域構(gòu)成為遮光區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分割曝光掩模，其中，當(dāng)用一個(gè)曝光掩模對(duì)所述基板進(jìn)行一次曝光時(shí)的曝光量為E時(shí)，每次曝光拍攝的曝光量為E/M。

6.一種分割曝光方法，所述分割曝光方法包括如下步驟：

基板分割步驟，將基板分割為N個(gè)分割曝光區(qū)域，其中N是3以上的自然數(shù)；

掩模分割步驟，將具有與2至N-1個(gè)分割曝光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的尺寸的分割曝光掩模分割為2至N-1個(gè)掩模分割區(qū)域；

曝光量調(diào)節(jié)步驟，當(dāng)所述2至N-1的數(shù)量為M并且用一個(gè)曝光掩模對(duì)所述基板進(jìn)行一次曝光時(shí)的曝光量為E時(shí)，所述分割曝光掩模的曝光量減小為E/M；

分割曝光步驟，將掩模分割區(qū)域選擇性地構(gòu)成為透光區(qū)域或遮光區(qū)域，通過N+M-1次的曝光拍攝將所述基板從一端到另一端順序地曝光，并且使至少一個(gè)掩模分割區(qū)域重疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的分割曝光方法，其中，在所述分割曝光步驟中，

第一次到第M次曝光拍攝將所述基板從一端到第M分割曝光區(qū)域曝光，并且在所述基板的一個(gè)方向上將透光區(qū)域依次增加一個(gè)掩模分割區(qū)域，從而第M次曝光拍攝將掩模分割區(qū)域全部構(gòu)成為透光區(qū)域，

從第M+1次至第N-2次的曝光拍攝在第M次曝光拍攝中在所述基板的另一端方向上依次移動(dòng)一個(gè)掩模分割區(qū)域的同時(shí)進(jìn)行曝光，并且將掩模分割區(qū)域全部構(gòu)成為透光區(qū)域，

從第N-1次到第N+M-1次的曝光拍攝將所述基板從所述另一端沿所述一個(gè)方向曝光至第M分割曝光區(qū)域，第N-1次曝光拍攝將掩模分割區(qū)域全部構(gòu)成為透光區(qū)域，并且從第N次曝光拍攝起，在所述基板的一個(gè)方向上將遮光區(qū)域依次增加一個(gè)掩模分割區(qū)域，從而第N+M-1次曝光拍攝將M-1個(gè)掩模分割區(qū)域構(gòu)成為遮光區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分割曝光方法，其中，在所述分割曝光步驟中，將所述基板的分割曝光區(qū)域的邊界處的圖案的階差或線寬的差與不重疊的分割曝光相比減小1/M倍。

9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項(xiàng)所述的分割曝光方法，其中，

所述分割曝光方法用于在觸摸傳感器中形成圖案。

10.一種通過根據(jù)權(quán)利要求9所述的分割曝光方法制造的觸摸傳感器。