[發明專利]液晶聚合物擾性覆銅板的制備方法在審
| 申請號： | 202010574972.7 | 申請日： | 2020-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN111901977A | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 房蘭霞;郭建君;虞成城 | 申請（專利權）人： | 深圳市信維通信股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/02 | 分類號： | H05K3/02;B05D3/14;B05D7/04 |
| 代理公司： | 深圳市博銳專利事務所 44275 | 代理人： | 井曉奇 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 液晶 聚合物 擾性覆 銅板 制備 方法 | ||
1.一種液晶聚合物擾性覆銅板的制備方法，其特征在于，在用于制作液晶聚合物薄膜的基材層上涂布LCP溶液，然后依次進行固化處理和退火處理，得到液晶聚合物薄膜；將所述液晶聚合物薄膜進行等離子活化處理；在等離子活化處理后的液晶聚合物薄膜的表面進行沉銅，得到具有納米級導電銅層的液晶聚合物薄膜；在所述納米級導電銅層上進行連續鍍銅，得到所述液晶聚合物擾性覆銅板。
2.根據權利要求1所述的液晶聚合物擾性覆銅板的制備方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為150～250℃，時間為1～5h。
3.根據權利要求1所述的液晶聚合物擾性覆銅板的制備方法，其特征在于，所述等離子活化處理的氣體流量為3～7SLM，活化溫度為80～120℃，活化功率為7～13kW。
4.根據權利要求1所述的液晶聚合物擾性覆銅板的制備方法，其特征在于，所述連續鍍銅的電流密度為1～5ASD，時間為4～15min。
5.根據權利要求1所述的液晶聚合物擾性覆銅板的制備方法，其特征在于，所述基材層的材質為PTFE，所述基材層的厚度為30～70μm。
6.根據權利要求1所述的液晶聚合物擾性覆銅板的制備方法，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜的厚度大于或等于6μm。
7.根據權利要求1所述的液晶聚合物擾性覆銅板的制備方法，其特征在于，所述納米級導電銅層的厚度為20～100nm。
8.根據權利要求1所述的液晶聚合物擾性覆銅板的制備方法，其特征在于，所述液晶聚合物擾性覆銅板的銅層厚度大于或等于3μm。
9.根據權利要求1所述的液晶聚合物擾性覆銅板的制備方法，其特征在于，采用半導體工藝在等離子活化處理后的液晶聚合物薄膜的表面進行沉銅。
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