[發明專利]晶圓的對準方法及對準系統

在審

• 申請號: 202010574920.X
• 申請日: 2020-06-22
• 公開（公告）號: CN111900116A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 李其衡;賀曉彬;劉金彪;李亭亭
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/66;H01L21/67;H01L23/544
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 郎志濤

本申請屬于半導體技術領域，具體涉及一種晶圓的對準方法及對準系統，該控制方法包括獲取晶圓上的對位標記；獲取預先設定的至少兩種對準計劃；選擇一種所述對準計劃對所述對位標記進行對準；如果對準所述對位標記失敗選擇其他所述對準計劃對所述對位標記進行對準。根據發明實施例的晶圓的對準方法，獲取預先設定的至少兩種對準計劃，發生對準失敗時自動選擇其他對準計劃再次進行對準，避免因對準失敗導致再次設定對準計劃重新對準，節省了重試的時間，降低了時間損耗和人力損耗，提高了對準速度。

技術領域

本申請屬于半導體技術領域，具體涉及一種晶圓的對準方法及對準系統。

背景技術

本部分提供的僅僅是與本公開相關的背景信息，其并不必然是現有技術。

半導體器件包括多層結構。因此，當制備半導體器件時，需要保證預定圖形與形成于該預定圖形上方的其他圖形之間或預定圖形與形成于該預定圖形下方的另一圖形之間盡可能重疊，重疊的精度影響半導體的品質。

因此，在制造半導體器件的工藝中，會設置有對位標記，對對位標記進行對準，可以判斷兩個圖形之間的重疊精度是否符合要求，以便提高半導體的品質。但現有技術中對對位標記進行對準時，對準方式單一，當對準失敗時，需要重新進行對準方式的設定再重新進行對準，耗費時間和人力成本。

發明內容

本申請的第一方面提出了一種晶圓的對準方法，包括：

獲取晶圓上的對位標記；

獲取預先設定的至少兩種對準計劃；

選擇一種所述對準計劃對所述對位標記進行對準；

根據對準所述對位標記失敗，選擇其他所述對準計劃對所述對位標記進行對準。

本申請的第二方面提出了一種晶圓的對準系統，用于執行上述技術方案中的晶圓的對準方法，包括：

獲取模塊，所述獲取模塊用于獲取晶圓上的對位標記；

獲取模塊，所述獲取模塊用于獲取預先設定的至少兩種對準計劃；

選擇模塊，所述選擇模塊用于選擇一種所述對準計劃對所述對位標記進行對準和根據對準所述對位標記失敗，選擇其他所述對準計劃對所述對位標記進行對準。

附圖說明

通過閱讀下文優選實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優選實施方式的目的，而并不認為是對本申請的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：

圖1為本申請實施例的晶圓的對準方法的流程圖；

圖2為圖1所示的選擇一種所述對準計劃對所述對位標記進行對準；

根據對準所述對位標記失敗，選擇其他所述對準計劃對所述對位標記進行對準的流程圖；

圖3為圖1所示的選擇所述第一對準計劃對所述第一對位標記進行第一次對準的流程圖；

圖4為圖3所示的根據第一次對準失敗，選擇所述第二對準計劃對所述第二對位標記進行第二次對準的流程圖；

圖5為圖1所示的根據第二次對準失敗，選擇所述第三對準計劃對所述第三對位標記進行第三次對準的流程圖；

圖6為本申請實施例的晶圓的對準方法的完整流程圖；

圖7為本申請實施例的晶圓的對準的結構框圖。

具體實施方式